[发明专利]半导体本体

权利要求书

1.一种半导体本体(10)，所述半导体本体具有：

-p型掺杂区域(20)，

-有源区域(30)，

-中间层(40)，和

-层堆(41)，所述层堆包含铟，其中所述层堆(41)中的铟浓度沿着堆叠方向(z)改变，并且所述层堆(41)除了掺杂材料以外借助一种氮化物化合物半导体材料形成，其中

-所述中间层(40)名义上不具有铟并设置在所述层堆(41)和所述有源区域(30)之间，而且直接邻接于所述层堆(41)，

-所述中间层(40)和/或所述层堆(41)是至少局部n型掺杂的，

其中所述层堆(41)的第二区域(43)设置在所述层堆(41)的背离第一区域(42)的侧上，并且所述第二区域(43)中的铟浓度朝向所述中间层(40)升高，并且

其中铟浓度在所述层堆(41)的所述第二区域(43)中朝向所述中间层(40)至少升高至阈值，并且在所述层堆(41)的区域中仅在所述第一区域(42)之内再次降低至低于阈值。

2.根据权利要求1所述的半导体本体(10)，

其中所述层堆(41)的第一区域(42)直接邻接于所述中间层(40)，并且所述第一区域(42)中的铟浓度朝向所述中间层(40)降低。

3.根据权利要求1或2所述的半导体本体(10)，

其中所述层堆(41)的所述第二区域(43)直接邻接于所述层堆(41)的所述第一区域(42)。

4.根据权利要求1所述的半导体本体(10)，

其中所述层堆(41)中的铟浓度朝向所述中间层(40)降低。

5.根据权利要求1所述的半导体本体(10)，

其中所述层堆(41)中的铟浓度朝向所述中间层(40)升高。

6.根据权利要求1或2所述的半导体本体(10)，

其中所述层堆(41)具有至少一对交替的层，其中每对的第一层(45)是n型掺杂的并且每对的第二层(46)名义上是未掺杂的。

7.根据权利要求6所述的半导体本体(10)，

其中每对的第一层(45)具有与每对的第二层(46)不同的铟浓度。

8.根据权利要求1或2所述的半导体本体(10)，

其中所述层堆(41)设置在所述中间层(40)和层序列(50)之间并且所述层序列(50)名义上不具有铟。

9.根据权利要求1或2所述的半导体本体(10)，

其中所述有源区域(30)构成用于产生或探测电磁辐射。

10.根据权利要求9所述的半导体本体(10)，

其中所述有源区域(30)构成用于产生或探测光。

11.根据权利要求1或2所述的半导体本体(10)，

其中所述层堆(41)沿堆叠方向(z)的层厚度至少为5nm并且小于20nm。

12.根据权利要求1或2所述的半导体本体(10)，

其中所述层堆(41)中的铟浓度小于5％。