[发明专利]碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板有效
| 申请号： | 201880014716.3 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110366611B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 长泽弘幸;久保田芳宏;秋山昌次 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 杜丽利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为碳化硅基板的制造方法，具有：准备在由碳、硅或碳化硅构成的母材基板1a的两面设置包含氧化硅、氮化硅、氮化碳化硅或硅化物的被覆层1b、1b并使该被覆层1b、1b表面成为平滑面的支承基板1的工序；在所述支承基板1的两面采用气相生长法或液相生长法形成多晶碳化硅的膜10的工序；将所述支承基板1中至少被覆层1b、1b以化学方式除去，在使被覆层1b、1b表面的平滑性反映于表面的状态下将多晶碳化硅的膜从该支承基板1分离，作为晶粒直径为10nm以上且10μm以下、至少一个主面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下的碳化硅基板10a、10b得到该多晶碳化硅的膜的工序。由此实现表面平滑且平坦并且内部应力也减小的碳化硅基板。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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