[发明专利]碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板

权利要求书

1.碳化硅基板的制造方法，具有：

准备在由碳、硅或碳化硅构成的母材基板的两面设置包含氧化硅、氮化硅、氮化碳化硅或硅化物的被覆层并使该被覆层表面成为平滑面的支承基板的工序；

在所述支承基板的两面采用气相生长法或液相生长法形成多晶碳化硅的膜的工序；

将所述支承基板中至少被覆层以化学方式除去，在使被覆层表面的平滑性反映于表面的状态下将多晶碳化硅的膜从该支承基板分离，得到该多晶碳化硅的膜作为晶粒直径为10nm以上且10μm以下、至少一个主面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下的碳化硅基板的工序。

2.根据权利要求1所述的碳化硅基板的制造方法，其中，通过使所述母材基板的两面平滑化，接下来在该母材基板的两面将由氧化硅、氮化硅、氮化碳化硅或硅化物构成的被覆层成膜，使母材基板的平滑面反映于该被覆层表面，从而制作所述支承基板。

3.碳化硅基板的制造方法，具有：

准备在由碳、硅或碳化硅构成的母材基板的两面形成了由磷硅酸玻璃或硼磷硅酸玻璃构成的被覆层后使该被覆层回流并使该被覆层表面成为平滑面的支承基板的工序；

在所述支承基板的两面采用气相生长法或液相生长法形成多晶碳化硅的膜的工序；

将所述支承基板中至少被覆层以化学方式除去，在使被覆层表面的平滑性反映于表面的状态下将多晶碳化硅的膜从该支承基板分离，得到该多晶碳化硅的膜作为晶粒直径为10nm以上且10μm以下、至少一个主面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下的碳化硅基板的工序。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳化硅基板的制造方法，其中，采用热CVD法形成所述多晶碳化硅的膜。

5.碳化硅基板，是由多晶碳化硅的气相生长膜或液相生长膜构成的碳化硅基板，其晶粒直径为10nm以上且10μm以下，至少一个主面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下。

6.根据权利要求5所述的碳化硅基板，其由立方晶和六方晶中的至少一个构成，最密排面从基板主面的法线轴以1/3π球面角度以内的立方角取向的晶粒的体积为全部构成晶粒的体积的一半以下。

7.根据权利要求5或6所述的碳化硅基板，其中，基板的翘曲量在基板的直径为6英寸时为-30μm以上且30μm以下。