[发明专利]化合物半导体层叠基板及其制造方法以及半导体元件有效
| 申请号： | 201880012091.7 | 申请日： | 2018-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN110301033B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 长泽弘幸;久保田芳宏;秋山昌次 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为化合物半导体层叠基板，是将为包含A和B作为构成元素的相同组成、具有相同的原子排列的2张单晶的化合物半导体基板直接贴合层叠而成的基板，其特征在于，该层叠基板的表面背面为包含A或B的同种的原子的极性面，层叠界面为包含B或A中的任一者的原子之间的键合、并且它们的晶格匹配的单极性的反相位区域边界面。由此，使化合物半导体层叠基板的表面背面的极性面成为单一极性，使半导体元件的工序设计变得容易，同时无需施加复杂的基板加工，可制造低成本、高性能、稳定的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 层叠 及其 制造 方法 以及 元件 | ||
【主权项】：
1.化合物半导体层叠基板，是将为包含A和B作为构成元素的相同组成、具有相同的原子排列的2张单晶的化合物半导体基板直接贴合层叠而成的基板，其特征在于，该层叠基板的表面背面为包含A或B的同种的原子的极性面，层叠界面为包含B或A中的任一者的原子之间的键合、并且它们的晶格匹配的单极性的反相位区域边界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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