[发明专利]发光元件及发光元件的制造方法在审
| 申请号： | 201880011132.0 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN110506340A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 酒井士郎 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李盛泉;孙昌浩<国际申请>=PCT/KR |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种能够通过简单的制造工序获得较高发光效率的发光元件以及发光元件的制造方法。发光元件包括：半导体结构体，包含第一导电型的第一半导体、形成于第一半导体上部且与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体及夹设于所述第一半导体与所述第二半导体之间的活性层；第一电极，连接于所述第一半导体；第二电极，在所述第二半导体上部连接于所述第二半导体；以及第一膜，具有透光性，并且包含形成于所述第二半导体与所述第二电极之间并电连接所述第二半导体与所述第二电极的导电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 第二电极 发光元件 导电型 半导体结构体 高发光效率 导电路径 第一电极 制造工序 电连接 活性层 透光性 夹设 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，包括：/n半导体结构体，包含第一导电型的第一半导体、形成于所述第一半导体上且与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体及夹设于所述第一半导体与所述第二半导体之间的活性层；/n第一电极，连接于所述第一半导体；/n第二电极，在所述第二半导体上部连接于所述第二半导体；以及/n第一膜，具有透光性，并且包含形成于所述第二半导体与所述第二电极之间并电连接所述第二半导体与所述第二电极的导电路径。/n
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