[发明专利]发光元件及发光元件的制造方法

说明书

提供一种能够通过简单的制造工序获得较高发光效率的发光元件以及发光元件的制造方法。发光元件包括：半导体结构体，包含第一导电型的第一半导体、形成于第一半导体上部且与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体及夹设于所述第一半导体与所述第二半导体之间的活性层；第一电极，连接于所述第一半导体；第二电极，在所述第二半导体上部连接于所述第二半导体；以及第一膜，具有透光性，并且包含形成于所述第二半导体与所述第二电极之间并电连接所述第二半导体与所述第二电极的导电路径。

技术领域

本发明涉及一种发光元件及发光元件的制造方法。

背景技术

最近，为了节约能源，正在开发发光二极管(LED：Light Emitting Diode)作为照明装置的光源。与目前主要用作光源的荧光灯或白炽灯相比，LED不仅功耗低而且寿命长。因此，通过在照明装置中使用LED，能够节约照明装置的电力，并且能够大大降低LED光源的更换频率。

例如，在专利文献1中，记载了一种在n型半导体层43与p型半导体层46之间布置有活性层44的LED。在该LED中，在连接于n型半导体层43的n侧电极47与连接于p型半导体层46的p侧电极48之间形成电位差，从而在活性层44生成光。生成的光向上部射出。

现有技术文献：(专利文献1)日本专利公开公报第2015-15321号公报

发明内容

技术问题

在专利文献1所记载的LED中，从活性层44生成的光通过LED最前面的表面的p型半导体层46而发出到空气中。专利文献1所记载的LED中，由于p型半导体层46的折射率与空气的折射率之差较大，因此产生由于在两侧交界面的反射而无法射出到外部的光，从而导致发光效率较低。近来，为了解决在专利文献1中发生的该问题，主张在p型半导体层与空气之间布置氧化膜的结构。但是，为了p侧电极与p型半导体层的接触，需要对形成于p型半导体层表面的氧化膜进行加工，从而存在制造工序数量增加的问题。

鉴于上述情况，本发明的目的在于提供一种通过简易的制造工序获得较高的发光效率的发光元件以及发光元件的制造方法。

技术方案

根据本发明的一实施例的发光元件包括：半导体结构体，包含第一导电型的第一半导体、形成于所述第一半导体上且与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体及夹设于所述第一半导体与所述第二半导体之间的活性层；第一电极，连接于所述第一半导体；第二电极，在所述第二半导体上部连接于所述第二半导体；以及第一膜，具有透光性，并且包含形成于所述第二半导体与所述第二电极之间并电连接所述第二半导体与所述第二电极的导电路径。

所述第一膜可以是包括所述第二半导体的成分的膜。

所述第一膜可以是氧化膜。

所述氧化膜的电阻可以比所述第二半导体的电阻高，所述导电路径形成于所述氧化膜的内部。

当从平面上观察时，所述第二电极可以被所述氧化膜包围。

所述氧化膜可以包括第一氧化膜及第二氧化膜，所述第二氧化膜的厚度大于所述第一氧化膜的厚度，所述导电路径至少形成于所述第二氧化膜。

当从平面上观察时，所述第二氧化膜可以被所述第一氧化膜包围。

所述氧化膜可以在所述第一氧化膜与所述第二氧化膜之间形成槽。

所述槽可以沿所述第二氧化膜的外围连续而包围所述第二氧化膜。

所述氧化膜的折射率可以具有所述第二半导体的折射率与空气的折射率之间的值。