[发明专利]具有短路失效模式的功率半导体模块有效
| 申请号： | 201880009810.X | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN110268517B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 柳春雷;J.舒德雷尔;F.布雷姆;M.拉希莫;P.K.施泰默;F.杜加尔 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/051 | 分类号： | H01L23/051;H01L23/535;H01L23/62;H01L25/07;H01L29/16;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 功率半导体模块（10）包括：基板（12）；包括Si衬底的Si芯片（16a），该Si芯片（16a）附接到基板（12）；利用第一压销（24a）紧压Si芯片（16a）的第一金属预制件（22a）；宽带隙材料芯片（16b），其包括宽带隙衬底和在该宽带隙衬底中提供的半导体开关（28b），该宽带隙材料芯片（16b）附接到基板（12）；以及利用第二压销（24b）紧压宽带隙材料芯片（16b）的第二金属预制件（22b）；其中Si芯片（16a）和宽带隙材料芯片（16b）经由基板（12）并且经由第一压销（24a）和第二压销（24b）并联连接；其中第一金属预制件（22a）适合于在被过电流加热时形成通过Si芯片（16a）的传导路径；并且其中第二金属预制件（22b）适合于在被过电流加热时形成通过宽带隙材料芯片（16b）的暂时的传导路径或开路。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 短路 失效 模式 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体模块（10），包括：基板（12）；包括Si衬底的Si芯片（16a），所述Si芯片（16a）附接到所述基板（12）；利用第一压销（24a）紧压所述Si芯片（16a）的一侧的第一金属预制件（22a）；宽带隙材料芯片（16b），所述宽带隙材料芯片（16b）包括宽带隙衬底和所述宽带隙衬底中提供的半导体开关（28b），所述宽带隙材料芯片（16b）附接到所述基板（12）；利用第二压销（24b）紧压所述宽带隙材料芯片（16b）的一侧的第二金属预制件（22b）；其中所述Si芯片（16a）和所述宽带隙材料芯片（16b）经由所述基板（12）并且经由所述第一压销（24a）和所述第二压销（24b）并联连接；其中所述第一金属预制件（22a）适合于在被过电流加热时通过与所述Si衬底形成合金而形成通过所述Si芯片（16a）的传导路径；其中由具有比所述第一金属预制件（22a）的材料更高的熔点的材料制成的所述第二金属预制件（22b）适合于在被过电流加热时形成通过所述宽带隙材料芯片（16b）的至少暂时的传导路径。
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