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[发明专利]具有短路失效模式的功率半导体模块-CN201880009810.X有效
发明人：柳春雷;J.舒德雷尔;F.布雷姆;M.拉希莫;P.K.施泰默;F.杜加尔 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/051 文献下载
摘要：功率半导体模块（10）包括：基板（12）；包括Si衬底的Si芯片（16a），该Si芯片（16a）附接到基板（12）；利用第一压销（24a）紧压Si芯片（16a）的第一金属预制件（22a）；宽带隙材料芯片（16b），其包括宽带隙衬底和在该宽带隙衬底中提供的半导体开关（28b），该宽带隙材料芯片（16b）附接到基板（12）；以及利用第二压销（24b）紧压宽带隙材料芯片（16b）的第二金属预制件（22b）；其中Si芯片（16a）和宽带隙材料芯片（16b）经由基板（12）并且经由第一压销（24a）和第二压销（24b）并联连接；其中第一金属预制件（22a）适合于在被过电流加热时形成通过Si芯片（16a）的传导路径；并且其中第二金属预制件（22b）适合于在被过电流加热时形成通过宽带隙材料芯片（16b）的暂时的传导路径或开路。
具有短路失效模式功率半导体模块

[发明专利]功率半导体模块-CN201480020491.4有效
发明人： S.哈特曼恩;F.杜加尔;O.埃克瓦尔;E.多雷 -专利权人： ABB电网瑞士股份公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：根据本发明的功率半导体模块(10)包括第一主电极(12)、第二主电极(14)和控制端子(16)。此外，功率半导体模块(10)还包括设置在第一主电极(12)和第二主电极(14)之间的可控功率半导体构件(18)。根据本发明，功率半导体模块(10)的特征在于，至少某些可控功率半导体构件(18)设置成环形组件(28,28',28")，其中环形组件(28,28',28")的可控功率半导体构件(18)至少大致沿着环形组件(28,28',28")的第一圆形线(30)设置，并且环形组件(28,28',28")的控制导体轨道(32)设置在第一主电极(12)上，其中控制导体轨道(32)至少大致沿着环形组件(28,28',28")的第二圆形线(34)而延伸，并且第二圆形线(34)相对于第一圆形线(30)同心地延伸。
功率半导体模块

[发明专利]具有主动短路故障模式的功率半导体装置-CN201880009835.X在审
发明人：柳春雷;F.杜加尔;M.拉希莫;P.K.施泰默 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：功率半导体装置（10）包括提供Si开关（14）的Si芯片（12）以及提供宽带隙材料开关（18）的宽带隙材料芯片（16），其中Si开关（14）和宽带隙材料开关（18）被并联电连接。用于控制功率半导体装置（10）的方法包括：在正常操作模式期间，通过将对应栅极信号施加到至少宽带隙材料开关（18）来控制至少宽带隙材料开关（18）以用于切换经过功率半导体装置（10）的电流；感测功率半导体装置（10）中的故障；以及在所感测故障的情况下，通过施加栅极信号来控制Si开关（14），使得在Si芯片（12）中生成电流，所述电流将Si芯片（12）加热到形成经过Si芯片（12）的永久导通通路的温度。
宽带隙材料功率半导体装置芯片栅极信号感测施加正常操作模式半导体装置故障模式控制功率主动短路加热

[发明专利]母座、功率半导体模块以及具有多个功率半导体模块的半导体模块组装件-CN201210293867.1在审
发明人： F.杜加尔 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明名称为“母座、功率半导体模块以及具有多个功率半导体模块的半导体模块组装件”。本发明提供具有支脚(8)的第一母座(6)，由此提供支脚(8)的基底(12)以接触功率半导体器件(3)的接触元件(4a、4b)，特别是在包含基板(2)和至少一个功率半导体器件(3)的功率半导体模块(1)中，该功率半导体模块在基板(2)上设置并与至少一个另外的母座(6、7)接触，由此提供绝缘部件(13)以与支脚(8)的外表面(14)电隔离。
母座功率半导体模块以及具有组装

[发明专利]功率半导体布置、具有多个该布置的功率半导体模块以及包含多个该模块的模块组装件-CN201210291910.0无效
发明人： F.杜加尔 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明名称为“功率半导体布置、具有多个功率半导体布置的功率半导体模块以及包含多个功率半导体模块的模块组装件”。本发明提供功率半导体布置(1)，其包括含钼层(4)的基板(2)，以及安放到基板(2)顶面并与之电耦合及热耦合的功率半导体器件(3)，其中基板(2)包含金属安放基底(6)，金属安放基底(6)设置在半导体器件(3)与钼层(4)之间并防止钼层(4)与半导体器件(3)形成高电阻金属间相。本发明进一步提供半导体模块，特别是具有多个半导体布置的功率半导体模块，其中功率半导体布置(1)的基板(2)是公共基板(2)。本发明还提供模块组装件，特别是功率半导体模块组装件，其包含多个功率半导体模块，其中半导体模块互相并排设置且相邻半导体模块之间有电连接。
功率半导体布置具有模块以及包含组装