[发明专利]三维存储器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201880005445.5 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110114877B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 吕震宇;黄郁茹;陶谦;胡禺石;陈俊;戴晓望;朱继锋;李勇娜;宋立东 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开一种形成三维存储器件的方法。该方法包括：在基底上形成交替绝缘体堆叠层；形成穿过交替绝缘体堆叠层的多个沟道孔；在每个沟道孔中形成沟道结构；在每个沟道孔中的沟道结构上形成沟道柱结构；修整每个沟道柱结构的上部部分，以形成沟道插塞；以及在相邻的沟道插塞之间形成顶部选择栅极隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成三维(3D)存储器件的方法，包括：在基底上形成交替绝缘体堆叠层；形成穿过所述交替绝缘体堆叠层的多个沟道孔；在每个沟道孔中形成沟道结构；在每个沟道孔中的所述沟道结构上形成沟道柱结构；修整每个沟道柱结构的上部，以形成沟道插塞；以及在相邻的沟道插塞之间形成顶部选择栅极隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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