[发明专利]三维存储器件的字线接触结构及其制作方法

摘要

公开了包括三维存储器件的字线接触结构的半导体结构实施例，以及形成字线接触结构的制造方法的实施例。半导体结构包括具有多个台阶的阶梯结构，且每个台阶包括位于介电层的上方的导电层。半导体结构还包括设置在每个台阶的导电层的一部分的上方的阻挡层。半导体结构还包括设置在阻挡层上的蚀刻停止层、以及设置在蚀刻停止层上的绝缘层。半导体结构还包括形成在绝缘层中的多个导电结构，且每个导电结构形成在每个台阶的导电层上。

主权项

1.一种半导体结构，包括：阶梯结构，包括多个台阶，其中每个台阶包括导电层，该导电层设置在介电层的上方；阻挡层，设置在每个台阶的所述导电层的一部分的上方；蚀刻停止层，设置在所述阻挡层上；绝缘层，设置在所述蚀刻停止层上；以及多个导电结构，形成于所述绝缘层中，其中每个导电结构形成在每个台阶的导电层上。