[实用新型]一种新型宽禁带功率半导体器件

摘要

本实用新型涉及一种新型宽禁带功率半导体器件，该器件包括第一导电型衬底、沉积在衬底之上的第一导电型外延层、位于外延层内部的第一和第二阱区、第一和第二阱区内具有第二导电型、设置于第一和第二阱区内的第一导电型注入区和第二导电型注入区、设置于第一和第二阱区内侧的多个沟槽、设置在第一导电型注入区和第二导电型注入区上部的欧姆接触电极、设置在沟槽一侧的第二导电型掺杂层、设置在第二导电型掺杂层之间顶部的肖特基接触电极，在沟槽中填充POLY栅，在POLY栅的周围设能包裹住POLY栅的氧化层，在第一导电型衬底的底部设背面电极，在欧姆接触电极、肖特基接触电极和钝化层的顶部设正面电极。本器件的反向损耗低，续流能力大。

主权项

1.一种新型宽禁带功率半导体器件，其特征在于：包括第一导电型衬底、沉积在衬底之上的第一导电型外延层、位于外延层内部的第一和第二阱区、第一和第二阱区内具有第二导电型、设置于第一和第二阱区内的第一导电型注入区和第二导电型注入区、设置于第一和第二阱区内侧的多个沟槽、设置在第一导电型注入区和第二导电型注入区上部的欧姆接触电极、设置在沟槽一侧的第二导电型掺杂层、设置在第二导电型掺杂层之间顶部的肖特基接触电极，沟槽向衬底方向延伸，在沟槽中填充POLY栅，在POLY栅的周围设置能包裹住POLY栅的氧化层，在欧姆接触电极和肖特基接触电极之间设置一钝化层，在第一导电型衬底的底部设置背面电极，在欧姆接触电极、肖特基接触电极和钝化层的顶部设置正面电极。