[实用新型]在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件有效
| 申请号： | 201822021971.0 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN208970548U | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本公开提供一种在无层错半极性(20‑21)GaN基板上制备的发光器件，其中包括：无层错半极性面(20‑21)GaN基板；位于无层错半极性(20‑21)GaN基板上的掺杂Si的N型GaN层；在N型GaN层上有源层，包括单量子阱层或多量子阱层，每个量子阱层包括InGaN量子阱和GaN量子垒；在有源层上的掺杂Mg的P型GaN层；以及位于P型GaN层外表面的P型电极和位于N型GaN层的外露表面上的N型电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半极性 发光器件 制备 掺杂 多量子阱层 半极性面 单量子阱 量子阱层 上有源层 外露表面 量子垒 量子阱 源层 | ||
【主权项】：
1.一种在无层错半极性(20‑21)GaN基板上制备的发光器件，其中包括：无层错半极性(20‑21)GaN基板；位于无层错半极性(20‑21)GaN基板上的掺杂Si的N型GaN层；在N型GaN层上有源层，包括单量子阱层或多量子阱层，每个量子阱层包括InGaN量子阱和GaN量子垒；在有源层上的掺杂Mg的P型GaN层；以及位于P型GaN层外表面的P型电极和位于N型GaN层的外露表面上的N型电极。
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