[实用新型]在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件有效
| 申请号： | 201822021971.0 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN208970548U | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半极性 发光器件 制备 掺杂 多量子阱层 半极性面 单量子阱 量子阱层 上有源层 外露表面 量子垒 量子阱 源层 | ||
1.一种在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件，其中包括：
无层错半极性(20-21)GaN基板；
位于无层错半极性(20-21)GaN基板上的掺杂Si的N型GaN层；
在N型GaN层上有源层，包括单量子阱层或多量子阱层，每个量子阱层包括InGaN量子阱和GaN量子垒；
在有源层上的掺杂Mg的P型GaN层；以及
位于P型GaN层外表面的P型电极和位于N型GaN层的外露表面上的N型电极。
2.如权利要求1所述的在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件，其中无层错半极性(20-21)面GaN基板的厚度为3～10微米。
3.如权利要求1所述的在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件，其中所述N型GaN层中Si的掺杂浓度为5E18～1E19 cm-3。
4.如权利要求2所述的在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件，其中所述N型GaN层的厚度为1～2微米。
5.如权利要求1所述的在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件，其中所述有源层的InGaN量子阱的厚度为6～10纳米，所述有源层的GaN量子垒的厚度为10～15纳米。
6.如权利要求1所述的在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件，其中所述有源层中包含3～5个量子阱层。
7.如权利要求1所述的在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件，其中所述P型GaN层的厚度为50～300纳米。
8.如权利要求1所述的在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件，其中所述P型GaN层中Mg的掺杂浓度为3E19～8E19 cm-3。
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