[实用新型]一种N型LDMOS器件有效
| 申请号： | 201821921658.6 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN208923149U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 邓晓军;朱伟民;聂卫东 | 申请（专利权）人： | 无锡市晶源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 张彩珍 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市无锡国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种N型LDMOS器件，包括彼此间隔设置在衬底层上的第一至第四有源区，相邻两个有源区之间形成场氧化层或第三氧化层，所述第二有源区形成栅氧化层，在栅氧化层靠近漏极的一侧形成复合氧化层，所述复合氧化层位于N型漂移区的上侧，所述复合氧化层包括依次横向形成的第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层。本实用新型通过形成复合氧化层结构，能够在提高N型LDMOS的耐压性能的同时降低导通电阻，从而能够有效减小器件及芯片面积，降低芯片设计成本。 | ||
| 搜索关键词： | 复合氧化层 氧化层 源区 本实用新型 栅氧化层 场氧化层 导通电阻 横向形成 间隔设置 耐压性能 芯片设计 衬底层 减小 漏极 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种N型LDMOS器件，包括彼此间隔设置在衬底层上的第一有源区(3)、第二有源区(4)、第三有源区(5)、第四有源区(6)，相邻两个有源区之间形成有氧化层(7，16)，所述第一有源区(3)下方形成有第一P+注入扩散区(8)，所述第二有源区(4)下方形成有第一N+注入扩散区(10)，所述第一有源区(3)和第二有源区(4)的下方形成有连通的第一P阱区(9)作为背栅，所述第三有源区(5)下方形成有第二N+注入扩散区(10’)，所述第二有源区(4)和第三有源区(5)的下方形成有连通的N型漂移区(11)作为漏极，所述第四有源区(6)下方形成有第二P+注入扩散区(8’)和第二P阱区(9’)，所述第二有源区(4)形成有栅氧化层(12)，在栅氧化层(12)靠近漏极的一侧形成有复合氧化层，所述复合氧化层位于所述N型漂移区(11)的上侧，所述复合氧化层包括依次横向形成的第一氧化层(14)、第二氧化层(15)和第三氧化层(16),所述第二氧化层(15)的厚度大于第一氧化层(14)的厚度，所述第三氧化层(16)的厚度大于第二氧化层(15)的厚度，在栅氧化层(12)、第一氧化层(14)和第二氧化层(15)的上方形成有多晶硅(13)作为栅极，在所述第一至第四有源区(3‑6)的上方，覆盖有一层或多层外氧化层(17)，所述外氧化层(17)在对应所述第一N+注入扩散区(10)、第二N+注入扩散区(10’)、第一P+注入扩散区(8)和第二P+注入扩散区(8’)的上方处形成有直达器件表面的接触孔(18)。
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