[实用新型]晶圆处理装置和多腔室晶圆处理设备有效
| 申请号： | 201821911548.1 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN208954947U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 王大为;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆处理装置和多腔室晶圆处理设备，所述晶圆处理装置包括：处理腔室，所述处理腔室内相对设置有喷淋头和加热器；存储室，与所述处理腔室相邻设置，用于存储主挡板和副挡板，存储室与处理腔室之间通过一传送口连通，传送口处设置有一门阀，用于控制所述传送口的开启与闭合；机械手，设置于所述存储室内，具有两个独立的运动端，用于分别抓取所述主挡板和副挡板，当需要对晶圆进行预加热处理时，所述机械手用于将主挡板移动至所述喷淋头和所述加热器之间；且在主挡板移动过程中，所述机械手还用于控制所述副挡板位于所述主挡板下方，跟随所述主挡板同步移动。所述晶圆处理装置能够避免对晶圆进行预加热时产生的挥发性气体吸附于喷淋头上。 | ||
| 搜索关键词： | 主挡板 晶圆处理装置 机械手 处理腔室 传送口 副挡板 晶圆处理设备 加热器 存储室 多腔室 喷淋头 预加热 晶圆 存储 室内 抓取 挥发性气体 处理装置 同步移动 相对设置 相邻设置 移动过程 闭合 处理腔 运动端 门阀 喷淋 吸附 种晶 连通 移动 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：处理腔室，所述处理腔室内相对设置有喷淋头和加热器，所述加热器用于放置晶圆；存储室，与所述处理腔室相邻设置，用于存储两个挡板，分别为主挡板和副挡板，所述存储室与所述处理腔室之间通过一传送口连通，所述传送口处设置有一门阀，用于控制所述传送口的开启与闭合；机械手，设置于所述存储室内，所述机械手具有两个独立的运动端，用于分别抓取所述主挡板和副挡板，当需要对晶圆进行预加热处理时，所述机械手用于将主挡板移动至所述喷淋头和所述加热器之间；且在主挡板移动过程中，所述机械手还用于控制所述副挡板位于所述主挡板下方，跟随所述主挡板同步移动；在主挡板位置固定时，所述机械手用于将所述副挡板收回至所述存储室内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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