[实用新型]芯片和半导体结构有效
| 申请号： | 201821883150.1 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN208923112U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓;汪美里 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构。该半导体结构可以包括有源块、第一电接触端、栅极氧化层以及栅极块；第一电接触端设于所述有源块之上；栅极氧化层覆盖于所述有源块的多个表面；栅极块上设有第一凹槽，覆盖有所述栅极氧化层的所述有源块插入所述第一凹槽内，从而减少了该半导体结构占用面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 源块 栅极氧化层 电接触 半导体技术领域 本实用新型 覆盖 芯片 占用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：有源块；第一电接触端，设于所述有源块；栅极氧化层，覆盖于所述有源块的多个表面；栅极块，其上设有第一凹槽，覆盖有所述栅极氧化层的所述有源块插入所述第一凹槽内。
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