[实用新型]芯片和半导体结构有效
| 申请号： | 201821883150.1 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN208923112U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓;汪美里 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体结构 源块 栅极氧化层 电接触 半导体技术领域 本实用新型 覆盖 芯片 占用 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
有源块；
第一电接触端，设于所述有源块；
栅极氧化层，覆盖于所述有源块的多个表面；
栅极块，其上设有第一凹槽，覆盖有所述栅极氧化层的所述有源块插入所述第一凹槽内。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源块包括条形块。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述条形块的数量为多个，多个所述条形块平行设置，且多个所述条形块电连接。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述有源块还包括：
第一连接块，与所述条形块连接，所述栅极氧化层设于所述条形块表面，所述第一电接触端设于所述第一连接块。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述条形块的数量为多个，多个所述条形块平行设置且均与所述第一连接块连接。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述有源块还包括：
第二连接块，连接于多个所述条形块的远离所述第一连接块的一端。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源块包括：
第一环形块，其表面覆盖有所述栅极氧化层，覆盖有所述栅极氧化层的第一环形块插入所述第一凹槽；
第二环形块，所述第二环形块套设于所述第一环形块，其表面覆盖有所述栅极氧化层，覆盖有所述栅极氧化层的第二环形块插入所述第一凹槽；所述第一环形块与所述第二环形块之间具有间隙，所述栅极块的部分区域插入所述间隙，且所述第一环形块与所述第二环形块电连接。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
绝缘层，设有第二凹槽，所述有源块嵌入所述第二凹槽且突出于所述第二凹槽，所述栅极氧化层覆盖于所述有源块突出于所述第二凹槽的表面上。
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
第二电接触端，设于所述栅极块。
10.一种芯片，其特征在于，包括：
权利要求1-9任一项所述的半导体结构。
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