[实用新型]一种半导体单元接触结构

摘要

提供一种半导体单元接触结构，应用于半导体器件，其中，单元接触形成于一衬底上，衬底具有由浅沟道隔离槽形成的隔离区以及由隔离区界定出的多个有源区；在衬底中具有与相应的有源区相交的多个字线沟槽以及在埋置于字线沟槽中的字线结构；在衬底上还具有与相应的有源区相交的多个位线结构，位线结构与衬底的两个相邻字线结构之间的部分电连接；两相邻的位线结构之间形成开口。通过在多晶硅层中增加一层氧化硅，利用氧化硅电阻较高于多晶硅的性质降低单元接触的漏电机制。

主权项

1.一种半导体单元接触结构，应用于半导体器件，其特征在于，所述单元接触形成于一衬底上，所述衬底具有由浅沟道隔离槽形成的隔离区以及由隔离区界定出的多个有源区；在衬底中具有与相应的有源区相交的多个字线沟槽以及在埋置于字线沟槽中的字线结构；在衬底上还具有与相应的有源区相交的多个位线结构，所述位线结构与所述衬底的两个相邻所述字线结构之间的部分电连接；两相邻的所述位线结构之间形成开口。