[实用新型]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201821701385.4 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN209544341U 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 胡滨 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;G01R31/28
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型涉及半导体技术领域,提出一种半导体器件、半导体器件的制造方法和测试方法。该半导体器件可以包括晶圆、划片道和多个时钟倍频电路;划片道相互垂直分布将晶圆分隔成若干芯片;多个时钟倍频电路设于划片道,其输出端与芯片连接。可以提供与芯片时钟频率一致的高频时钟,同时又不影响芯片的性能,功耗与面积;简化芯片的wafer级测试方案设计。
搜索关键词: 半导体器件 划片道 时钟倍频电路 晶圆 半导体技术领域 芯片 测试方案设计 芯片时钟频率 本实用新型 垂直分布 高频时钟 芯片连接 影响芯片 输出端 功耗 分隔 测试 制造
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:晶圆;划片道,所述划片道相互垂直分布,将所述晶圆分隔成若干芯片;锁相环,设于所述划片道内,其输入端连接自动测试设备,其输出端与所述芯片连接;所述锁相环输出的时钟信号的频率大于或等于所述芯片工作时的时钟信号的频率。
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