[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201821631023.2 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN208738255U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底，具有上表面和下表面；沟槽结构，其包括第一沟槽，位于所述半导体衬底内并从半导体衬底的上表面向下表面延伸，其具有第一开口宽度；第二沟槽，位于所述半导体衬底内并从所述第一沟槽结构的底部向所述半导体衬底的下表面延伸，其具有第二开口宽度，该第二开口宽度小于第一开口宽度；栅极结构，位于所述第一沟槽结构和第二沟槽结构内，增加半导体结构中栅结构的栅极通道的面积，由此改善了短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体结构 沟槽结构 半导体 开口 上表面 下表面 本实用新型 短沟道效应 向下表面 栅极结构 栅极通道 栅结构 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有器件隔离结构，以在所述半导体衬底上形成器件有源区；形成在所述器件有源区内的沟槽结构，所述沟槽结构包括：第一沟槽，所述第一沟槽位于所述半导体衬底内并从所述半导体衬底的上表面向下表面延伸，所述第一沟槽具有第一开口宽度；第二沟槽，所述第二沟槽位于所述半导体衬底内并从所述第一沟槽的底部向所述半导体衬底的下表面延伸，所述第二沟槽具有第二开口宽度，所述第二开口宽度小于所述第一开口宽度；以及栅极结构，所述栅极结构位于所述沟槽结构内。
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