[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201821621812.8 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN209029380U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吴公一;陈龙阳 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/535 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构，包括：半导体衬底；浅沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底内，以隔离出多个间隔排布的有源区；若干埋入式栅极结构，位于所述有源区内，所述埋入式栅极结构具有第一掺杂区和第二掺杂区；位线结构，位于所述第一掺杂区上方；电容接触节点结构，位于所述第二掺杂区上方；绝缘结构，位于所述浅沟槽隔离结构上方，用以隔离相邻所述电容接触节点结构。应用本实用新型实施例，提高电容接触节点结构制作的良率，从而避免了现有技术中蚀刻存储节点之间较厚的多晶硅层，导致刻蚀后的图形容易产生偏差，从而影响电路的导电特性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 接触节点 电容 浅沟槽隔离结构 半导体结构 本实用新型 埋入式栅极 衬底 半导体 隔离 蚀刻 存储节点 导电特性 多晶硅层 间隔排布 结构制作 绝缘结构 位线结构 影响电路 刻蚀 良率 源区 应用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；浅沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底内，以隔离出多个间隔排布的有源区；若干埋入式栅极结构，位于所述有源区内，所述埋入式栅极结构具有第一掺杂区和第二掺杂区；位线结构，位于所述第一掺杂区上方；电容接触节点结构，位于所述第二掺杂区上方；绝缘结构，位于所述浅沟槽隔离结构上方，用以隔离相邻所述电容接触节点结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
