[实用新型]改良的混合式无结型鳍状晶体管有效
| 申请号： | 201821606189.9 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN209045569U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李政逵;张进宇;王燕 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种改良的混合式无结型鳍状晶体管，包括：大粒径，所述大粒径由非结晶硅在SOI硅片上进行固相结晶获取；有源层，其中，浮层的所述有源层的源漏区域包覆在器件两侧以形成无结型鳍状晶体管，其中，将接点直接置于所述有源层的源漏区域上方，以利用所述衬体的浓度使沟道的有效厚度降低；栅极，淀积氧化层以形成栅极氧化物层并通过以及金属化形成所述栅极，其中，通过改变衬体的掺杂浓度来改善I‑V特性；堆栈出多层的结构以形成多层的混合型无结型鳍状晶体管。该实用新型可以有效抑制IOFF，保证衬体侧面的载流子形成沟道，适用于低频且需要高增益的模拟电路系统。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍状晶体管 结型 源层 源漏区域 大粒径 衬体 多层 沟道 载流子 改良 模拟电路系统 栅极氧化物层 本实用新型 衬体侧面 非结晶硅 固相结晶 有效厚度 有效抑制 高增益 金属化 氧化层 包覆 淀积 堆栈 浮层 掺杂 保证 | ||
【主权项】：
1.一种改良的混合式无结型鳍状晶体管，其特征在于，包括：大粒径，所述大粒径由非结晶硅在SOI硅片上进行固相结晶获取；有源层，所述有源层由电子束光刻定义p‑type沟道和n‑type衬底构成，其中，浮层的所述有源层的源漏区域包覆在器件两侧以形成无结型鳍状晶体管，其中，将接点直接置于所述有源层的源漏区域上方，以利用所述n‑type衬底的浓度使沟道的有效厚度降低；栅极，淀积氧化层以形成栅极氧化物层并通过以及金属化形成所述栅极，其中，将栅极加宽，以包覆所述n‑type衬底，形成反转型鳍状晶体管，其中，通过改变所述n‑type衬底的掺杂浓度来改善I‑V特性；在单一器件里包含所述无结型鳍状晶体管与所述反转型鳍状晶体管以形成混合式无结型鳍状晶体管其中，堆栈出多层的结构以形成多层的混合型无结型鳍状晶体管。
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