[实用新型]一种用于化学气相沉积反应的源瓶有效
申请号: | 201821549199.3 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN209081980U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 张军 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 张拥;李翔 |
地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于化学气相沉积反应的源瓶,其包括上盖、瓶身和加热带;所述上盖和所述瓶身密封连接,所述瓶身的外表面设置有加热带;所述瓶身内用于盛放反应源,所述瓶身和所述上盖中的至少一者上设置有伸入所述反应源的热交换结构,所述热交换结构未将所述反应源完全隔离,并用于将所述加热带的热量传导至反应源。通过热交换结构的设置,瓶身温度能更快的接近反应源的真实温度,缩短瓶身的温度改变滞后于反应源的温度改变的时间,有效避免温度过冲问题;提高瓶身和上盖与反应源的热交换效率,缩短温控反馈时间;由于热交换效率的提高,相同体积的源瓶能够提供更高通量的气体,能够满足高通量的化学气相沉积的要求。 | ||
搜索关键词: | 瓶身 反应源 上盖 化学气相沉积 热交换结构 源瓶 热交换效率 高通量 加热带 本实用新型 密封连接 热量传导 完全隔离 伸入 盛放 温控 热带 反馈 滞后 | ||
【主权项】:
1.一种用于化学气相沉积反应的源瓶,其特征在于,其包括上盖(10)、瓶身(13)和加热带;所述上盖(10)和所述瓶身(13)密封连接,所述瓶身(13)的外表面设置有加热带;所述瓶身(13)内用于盛放反应源(9),所述瓶身(13)和所述上盖(10)中的至少一者上设置有伸入所述反应源(9)的热交换结构,所述热交换结构未将所述反应源(9)完全隔离,并用于将所述加热带的热量传导至反应源(9)。
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- 程传伟;张海峰 - 同济大学
- 2017-04-19 - 2019-09-27 - C23C16/455
- 本发明涉及本发明提供一种原子层沉积反应腔体设计装置以及针对超高深宽比通孔材料表面均匀镀膜工艺,其中,原子层沉积反应腔体设计装置包括:进气系统、排气系统、上反应腔、下反应腔、基板;其中,基板位于上反应腔内,进气系统用于提供所需反应前驱体和净化气体,反应前驱体和净化气体进入所述上反应腔,排气系统用于清除多余反应前驱体和净化气体,经所述下反应腔排除。本发明可以解决超高深宽比通孔材料内部表面无法均匀沉积镀膜问题。
- 一种适用于超大产量的原子层沉积设备的流道结构-201822193218.X
- 余伟 - 南京爱通智能科技有限公司
- 2018-12-25 - 2019-09-27 - C23C16/455
- 本实用新型公开一种适用于超大产量的原子层沉积设备的流道结构,包括若干组并列排布的载具组,每组所述载具组由多个载具组成,同组载具组内的各载具的底板和侧板首尾相接,围成中空的柱状结构;同组载具组内的各载具上同位置的两晶圆拼接形成整体,该位置晶圆上下的空间分别连通形成气流通道。由于没有多余气体流通空间,所有气体(含原料)都必然流经由晶圆(硅片)构成的气流通道,进而对晶圆(硅片)进行处理,最大限度利用原料;该结构从原理上客服了原料利用率低的问题,原料利用率可提升到95%以上。
- 一种用于液态前驱体的化学气相沉积反应炉-201910711977.7
- 宋也男;杨鑫良 - 华东师范大学
- 2019-08-02 - 2019-09-24 - C23C16/455
- 本发明公开了一种用于液态前驱体的化学气相沉积反应炉,适用于低压到常压的反应环境。该反应炉包括:反应室;设置于反应室前端、通过管路与反应室并联连接的液态前驱体钢瓶和气体钢瓶;设置于反应室后端、通过管路与反应室连接的蝶阀和连接蝶阀的真空泵;其中,液态前驱体钢瓶上设有两根管路,一根通往大气,一根连接反应室,与反应室连接的管路上设有双通阀,所述液态前驱体钢瓶设于水浴或油浴装置中;气体钢瓶通过管路连接反应室,在连接管路上设有双通阀;所述蝶阀与反应室之间设有压力表,蝶阀两端并联有针阀。本发明操作简便,适用范围广,能有效避免传统鼓泡法、注射泵法带来的各种缺陷。
- 改良喷嘴头的沉积系统-201822053069.7
- 卢彦勋;施森荣;陈彦良;大藤彻;谢明达 - 捷苙科技股份有限公司
- 2018-12-07 - 2019-09-24 - C23C16/455
- 本实用新型提供一种改良喷嘴头的沉积系统包括反应腔室、承载部、加热器、气体分配组件、化学物质传递模块、及热交换模块。承载部配置于反应腔室内,具有与反应腔室连接的支撑基座、及用以承载衬底的载盘;加热器配置于载盘下方,用以对衬底加热;气体分配组件配置在相对于承载部上方,包括多個第一喷头主体及多個第二喷头主体,每一第一喷头主体具有延伸穿过第一喷头主体的第一气体通道及喷嘴头,每一第二喷头主体具有延伸穿过第二喷头主体的第二气体通道及喷嘴头;化学物质传递模块与第一气体信道及第二气体信道连接,以将化学物质传递至反应腔室;热交换模块连接至反应腔室的壁及气体分配组件,用于调控反应腔室及气体分配组件的温度。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的