[实用新型]一种埋入式栅极结构有效
| 申请号： | 201821506853.2 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN208706657U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种埋入式栅极结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底中形成有有源区，及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；有源沟槽，包括形成于所述有源区中的前段有源沟槽，及形成于所述前段有源沟槽底部的后段有源沟槽，其中所述后段有源沟槽的宽度大于所述前段有源沟槽的宽度；隔离沟槽，包括形成于所述浅沟槽隔离结构中的前段隔离沟槽，及形成于所述前段隔离沟槽底部的后段隔离沟槽，其中所述后段隔离沟槽的宽度大于所述前段隔离沟槽的宽度；以及栅极结构，形成于所述有源沟槽及所述隔离沟槽中。通过本实用新型解决了现有晶体管无法同时兼顾性能和集成度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离沟槽 后段 源区 浅沟槽隔离结构 本实用新型 埋入式栅极 衬底 半导体 栅极结构 集成度 晶体管 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种埋入式栅极结构，其特征在于，所述埋入式栅极结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有有源区，及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；有源沟槽，包括形成于所述有源区中的前段有源沟槽，及形成于所述前段有源沟槽底部的后段有源沟槽，其中所述后段有源沟槽的宽度大于所述前段有源沟槽的宽度；隔离沟槽，包括形成于所述浅沟槽隔离结构中的前段隔离沟槽，及形成于所述前段隔离沟槽底部的后段隔离沟槽，其中所述后段隔离沟槽的宽度大于所述前段隔离沟槽的宽度；以及栅极结构，形成于所述有源沟槽及所述隔离沟槽中。
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