[实用新型]一种双向高压的瞬态电压抑制器有效
申请号: | 201821332444.5 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN208637421U | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 陆亚斌;吴昊;王成 | 申请(专利权)人: | 傲威半导体无锡有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人: | 衣然 |
地址: | 214028 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了电压抑制器技术领域的一种双向高压的瞬态电压抑制器,包括壳体,壳体的内壁底部设置有P型衬底,P型衬底的内腔靠近边缘的位置有N型第一外延外层,N型二次外延外层设置在N型第一外延外层的顶部,壳体的顶部的中间位置设置有N型第一外延层,N型第一外延层的顶部设置有NBL内埋层,NBL内埋层的顶部设置有N型二次外延层,N型二次外延层的顶部设置有欧姆接触层,N型第一外延层、NBL内埋层、述N型二次外延层欧姆接触层、和N型二次外延外层、N型第一外延外层之间设置有隔离槽,本实用新型在封装的时候只需要一根封装线,节省了封装成本,抗浪涌能力强提升2倍。 | ||
搜索关键词: | 外延层 顶部设置 内埋层 壳体 瞬态电压抑制器 本实用新型 欧姆接触层 双向高压 衬底 封装 电压抑制器 封装线 隔离槽 抗浪涌 能力强 内壁 内腔 | ||
【主权项】:
1.一种双向高压的瞬态电压抑制器,包括壳体(1),其特征在于:壳体(1)的内壁底部设置有P型衬底(2),P型衬底(2)的内腔靠近边缘的位置有N型第一外延外层(31),且N型第一外延外层(31)设置在P型衬底(2)的顶部,壳体(1)的内腔靠近边缘的位置设置有N型二次外延外层(51),N型二次外延外层(51)设置在N型第一外延外层(31)的顶部,壳体(1)的顶部的中间位置设置有N型第一外延层(3),N型第一外延层(3)的顶部设置有NBL内埋层(4),NBL内埋层(4)的顶部设置有N型二次外延层(5),N型二次外延层(5)的顶部设置有欧姆接触层(6),N型第一外延层(3)、NBL内埋层(4)、N型二次外延层(5)欧姆接触层(6)、和N型二次外延外层(51)、N型第一外延外层(31)之间设置有隔离槽(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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