[实用新型]一种半导体器件封装结构有效
| 申请号： | 201821038994.6 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208796983U | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李金元;崔磊;张璧君;吴鹏飞;金锐;潘艳;温家良;吴军民;田丽欣 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件封装结构，该半导体器件封装结构，包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，设置在所述第一电极片和第二电极片之间；以及导电弹性部件，设置在所述半导体器件芯片与所述第一电极片之间和/或所述半导体器件芯片与所述第二电极片之间。该封装结构通过在半导体器件芯片与电极片之间设置导电弹性部件，通过该导电弹性部件缓冲并释放封装时施加在所述功率半导体器件芯片上的应力，有效保护功率半导体器件芯片不因局部受力过大而损坏，有效提高器件封装的可靠性，获得良好的封装和器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件芯片 第一电极 半导体器件封装 导电弹性部件 第二电极 功率半导体器件芯片 封装 本实用新型 封装结构 局部受力 器件封装 器件性能 相对设置 电极片 缓冲 施加 释放 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件封装结构，其特征在于，包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，设置在所述第一电极片和第二电极片之间；以及导电弹性部件，设置在所述半导体器件芯片与所述第一电极片之间和/或所述半导体器件芯片与所述第二电极片之间。
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