[实用新型]一种高功率射频开关有效
| 申请号： | 201820888986.4 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN208445536U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 陈亮 | 申请（专利权）人： | 南京国博电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/00;H03K17/10 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高功率射频开关，包括串联单元，变压器单元和并联单元，串联单元的输入端连接射频输入信号端口，控制端连接VC控制信号端口，输出端连接射频输出信号端口；变压器单元的初级线圈正极连接射频输出信号端口，负极接地，次级线圈正极连接并联单元，负极接地；并联单元的控制端口连接VCF控制信号端口，另一端口接地；所述VC控制信号和VCF控制信号是一对反相信号。优点：1）设有变压器单元，当初级线圈和次级线圈匝数比为N：1时，施加在并联单元上的电压仅为射频输出端口电压的1/N，有效减小了并联单元的非线性，显著提高开关的输出功率能力。2）可拓展成任意的单刀多掷或多刀多掷开关。3）应用灵活，成本较低，具有广阔应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 并联单元 变压器单元 控制信号端口 射频输出信号 高功率射频 初级线圈 串联单元 次级线圈 负极接地 控制信号 正极连接 多刀多掷开关 射频输出端口 射频输入信号 本实用新型 输出端连接 输入端连接 单刀 反相信号 广阔应用 控制端口 输出功率 接地 控制端 匝数比 减小 施加 灵活 拓展 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高功率射频开关，其特征是包括串联单元，变压器单元和并联单元，其中串联单元的输入端连接RFin射频输入信号端口，串联单元的控制端连接VC控制信号端口，串联单元的输出端连接RFout射频输出信号端口；变压器单元的初级线圈正极i+连接RFout射频输出信号端口，变压器单元的初级线圈负极i‑连接至地，变压器单元的次级线圈正极o+连接并联单元a端口，变压器单元的次级线圈负极o‑连接至地；并联单元的控制端口连接VCF控制信号端口，并联单元b端口连接至地；所述VC控制信号和VCF控制信号是一对反相信号。
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- 本申请实施例公开了一种绝缘栅双极型晶体管的过流保护电路。在该保护电路中，过流比较单元的输入端与绝缘栅双极型晶体管的输出端连接，过流比较单元的输出端通过隔离单元与第一驱动单元的第一输入端连接；第一驱动单元的输出端通过第二驱动单元与绝缘栅双极型晶体管的栅极连接；过流比较单元采集绝缘栅双极型晶体管的输出端的电流值，并在根据电流值判断出发生过流现象时生成输出比较信号；隔离单元根据输出比较信号向第一驱动单元输出预设电压信号，以触发第一驱动单元生成用于驱动第二驱动单元软关断绝缘栅双极型晶体管的驱动信号。该保护电路在出现过流现象时对绝缘栅双极型晶体管进行软关断，提高晶体管的可靠性，避免出现过压损坏。
- 具有输出均流的单片集成电路开关器件-201610529648.7
- 詹姆斯·尼古耶 - 成都芯源系统有限公司
- 2016-07-06 - 2019-03-22 - H03K17/081
- 提出了一种具有输出均流的单片集成电路开关器件及包括多个并联耦接的单晶片集成电路开关器件的系统。每个单晶片集成电路开关器件包含第一引脚、第二引脚和用于在该系统导通时将第一引脚耦接至第二引脚的功率开关。每个单晶片集成电路开关器件还可以包含均流电路，用于在该单晶片集成电路开关器件的输出电流大于该多个并联耦接的单晶片集成电路开关器件的总输出电流的平均电流时降低该单晶片集成电路开关器件的输出电流，从而防止每个并联耦接的单晶片集成电路开关器件在系统启动过程中吸取比其余开关器件过量的电流，使系统平稳启动。
- 一种电子设备及其冲击电流的抑制电路-201811346844.6
- 孙元帅 - 郑州云海信息技术有限公司
- 2018-11-13 - 2019-03-19 - H03K17/081
- 本发明公开了一种冲击电流的抑制电路：第一端与第一电阻的第一端连接，其公共端作为输入端，第二端作为输出端，控制端与第一电容的第一端连接的第一开关管；第二端接地的第一电容，用于在延时启动电路导通时，通过延时启动电路对地放电使第一开关管导通，在延时启动电路关断时使第一开关管关断；第二端与第一电容的第一端连接的第一电阻；第一端与第一电容的第一端连接，第二端接地的延时启动电路，用于在控制端未接收到控制信号时，将自身的第一端与第二端关断，当接收到控制信号时，将自身的第一端与第二端导通，且降低第一电容的放电速度。应用本发明的方案，可以降低冲击电流对电路器件的影响。本发明还公开了一种电子设备，具有相应效果。
- 一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路-201821219164.3
- 柳树渡;李茂华;孙志新 - 深圳英飞源技术有限公司
- 2018-07-27 - 2019-03-19 - H03K17/081
- 本实用新型公开了一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路，包括推挽电路、RCD钳位电路、负压电路、RCD电路、栅极电阻R2和MOS管S1，负压电路由电阻R1、电容C1、电容C2和稳压二极管D1组成，MOS管S1的源极与所述稳压二极管D1的阴极连接，稳压二极管D1的阳极与所述供电电源地电平连接，所述电容C2与所述稳压二极管D1并联连接，电容C1的一端与所述推挽电路的供电电源连接，电容C1的另一端与所述MOS管S1的源极连接；本实用新型采用该电路能够有效减小MOS管的GS正向和负向驱动尖峰电压，提高MOS管的可靠开通和关断，具有电路结构简单，性能可靠等优点。
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