[实用新型]芯片有效
| 申请号： | 201820739626.8 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN208127182U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘军;袁伟;欧俊舟;罗浩维 | 申请（专利权）人： | 深圳赛意法微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美;阙龙燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种芯片，该芯片包括形成有电路的晶片、包裹在晶片侧部和顶部的树脂层、位于晶片的顶部且露出树脂层的电极以及覆盖在晶片底部的硅土膜，电极的上表面与树脂层的上表面齐平，且电极由形成在晶片上的锡球经打磨后形成。该芯片能够保护晶片，防止晶片在生产、运输、及安装使用过程中因直接接触而受到物理损伤，提高晶片在恶劣环境中的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 电极 树脂层 芯片 本实用新型 上表面齐平 恶劣环境 晶片侧部 物理损伤 上表面 硅土 锡球 打磨 电路 覆盖 运输 生产 | ||
【主权项】：
1.一种芯片，其特征在于，包括形成有电路的晶片、包裹在所述晶片侧部和顶部的树脂层、位于所述晶片的顶部且露出所述树脂层的电极以及覆盖在所述晶片底部的硅土膜，所述电极的上表面与所述树脂层的上表面齐平，且所述电极由形成在所述晶片上的锡球经打磨后形成。
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