[实用新型]用于改善晶圆边缘区域的边缘环和等离子体刻蚀装置有效
| 申请号： | 201820507666.X | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN208315503U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王杰;陈伏宏;刘家桦 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于改善晶圆边缘区域的边缘环和等离子体刻蚀装置，所述边缘环为环状，用于固定于静电吸盘的边缘；所述边缘环安装于静电吸盘上时，朝向所述静电吸盘内侧的侧壁垂直于所述静电吸盘表面。所述边缘环能够减少对等离子体的反射作用，避免加快晶圆表面掩膜层的损耗，从而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘环 静电吸盘 等离子体刻蚀装置 晶圆边缘区域 等离子体 本实用新型 侧壁垂直 产品良率 反射作用 晶圆表面 掩膜层 | ||
【主权项】：
1.一种用于改善晶圆边缘区域的边缘环，其特征在于，包括：所述边缘环为环状，用于固定于静电吸盘的边缘；所述边缘环安装于静电吸盘上时，朝向所述静电吸盘内侧的侧壁垂直于所述静电吸盘表面。
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