[实用新型]用于改善晶圆边缘区域的边缘环和等离子体刻蚀装置有效
| 申请号： | 201820507666.X | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN208315503U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王杰;陈伏宏;刘家桦 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边缘环 静电吸盘 等离子体刻蚀装置 晶圆边缘区域 等离子体 本实用新型 侧壁垂直 产品良率 反射作用 晶圆表面 掩膜层 | ||
1.一种用于改善晶圆边缘区域的边缘环，其特征在于，包括：
所述边缘环为环状，用于固定于静电吸盘的边缘；
所述边缘环安装于静电吸盘上时，朝向所述静电吸盘内侧的侧壁垂直于所述静电吸盘表面。
2.根据权利要求1所述的用于改善晶圆边缘区域的边缘环，其特征在于，所述边缘环包括第一子边缘环和位于所述第一子边缘环下方的第二子边缘环，所述第二子边缘环的宽度大于第一子边缘环宽度；所述边缘环安装于静电吸盘上时，所述第一子边缘环位于静电吸盘的晶圆放置区域外侧。
3.根据权利要求2所述的用于改善晶圆边缘区域的边缘环，其特征在于，所述第一子边缘环朝向所述静电吸盘内侧的侧壁高度为0.07inch～0.1inch。
4.根据权利要求1所述的用于改善晶圆边缘区域的边缘环，其特征在于，所述边缘环的材料包括硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅和石英中的任意一种。
5.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括：
静电吸盘，用于吸附待刻蚀晶圆；
固定于所述静电吸盘边缘的边缘环，所述边缘环朝向所述静电吸盘内侧的侧壁垂直于所述静电吸盘表面。
6.根据权利要求5所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述边缘环包括第一子边缘环和位于所述第一子边缘环下方的第二子边缘环，所述第二子边缘环的宽度大于第一子边缘环宽度；当晶圆吸附于所述静电吸盘上时，所述第二子边缘环部分位于晶圆下方，所述第一子边缘环位于晶圆外侧。
7.根据权利要求6所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第一子边缘环朝向所述静电吸盘内侧的侧壁高度为0.07inch～0.1inch。
8.根据权利要求5所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述边缘环的材料包括硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅和石英中的任意一种。
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