[实用新型]缓解互连结构应力的半导体结构有效
| 申请号： | 201820479826.4 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN208028047U | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 马力;李琳瑜 | 申请（专利权）人： | 华天科技（昆山）电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 昆山中际国创知识产权代理有限公司 32311 | 代理人： | 段新颖 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种缓解互连结构应力的半导体结构，通过在介质层与金属线路之间增设一层应力缓解层，该应力缓解层一方面作为阻挡层，防止金属线路的材料(铜或铝)扩散到介质层中，该应力缓解层另一方面作为延展层，其面积大于金属线路在其上的正投影面积，可避免金属线路及带有金属包覆层的金属线路与介质层直接接触，以降低金属线路及带有金属包覆层的金属线路与介质层界面之间的应力，解决金属线路(厚铜或厚铝)及带有金属包覆层的金属线路与介质层之间容易分层的问题，从而提高半导体结构的封装可靠性和封装良率，使具有金属线路(厚铜或厚铝)及带有金属包覆层的厚铜或厚铝线路的器件或封装结构能够顺利通过可靠性验证。 | ||
| 搜索关键词： | 金属线路 介质层 金属包覆层 半导体结构 应力缓解层 厚铝 厚铜 互连结构 本实用新型 封装可靠性 可靠性验证 封装结构 延展层 正投影 阻挡层 缓解 分层 封装 良率 扩散 增设 | ||
【主权项】：
1.一种缓解互连结构应力的半导体结构，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底上具有介质层，所述介质层上形成有厚度大于10um的材质为铜或铝的金属线路，所述金属线路上表面覆盖有金属包覆层,所述金属线路与所述介质层之间设有应力缓解层，所述应力缓解层的边缘超出所述金属线路在其上的正投影0.5μm至6μm。
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