[实用新型]一种倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片有效
| 申请号： | 201820412167.2 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN208014708U | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片，属于半导体技术领域。包括外延层（4），在外延层（4）的表面向下开设有若干沟槽（6），在沟槽（6）的内壁上设置有氧化层（5），在氧化层（5）内填充有多晶硅（7），在外延层（4）以及多晶硅（7）的表面上形成肖特基界面，其特征在于：所述的沟槽（6）包括水平底面以及与底面倾斜设置的侧壁，在沟槽（6）的底部形成半导体类型与外延层（4）相反的反型区，所述的氧化层（5）的顶部位于沟槽（6）内壁的中下部，在沟槽（6）内壁的中上部同时设置有肖特基界面。在本倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片中，提高了肖特基界面的面积，保证了导电效率以及反向耐压能力，避免了性能缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 外延层 沟槽式 倾斜式 氧化层 导电 内壁 芯片 多晶硅 半导体技术领域 反向耐压能力 半导体类型 导电效率 底面倾斜 水平底面 性能缺陷 反型区 侧壁 填充 保证 | ||
【主权项】：
1.一种倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片，包括外延层（4），在外延层（4）的表面向下开设有若干沟槽（6），在沟槽（6）的内壁上设置有氧化层（5），在氧化层（5）内填充有多晶硅（7），在外延层（4）以及多晶硅（7）的表面上形成肖特基界面，其特征在于：所述的沟槽（6）包括水平底面以及与底面倾斜设置的侧壁，在沟槽（6）的底部形成半导体类型与外延层（4）相反的反型区，所述的氧化层（5）的顶部位于沟槽（6）内壁的中下部，在沟槽（6）内壁的中上部同时设置有肖特基界面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淄博汉林半导体有限公司，未经淄博汉林半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820412167.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种有机碳量子点发光器件
- 下一篇：一种垂直导电集成电子器件
- 同类专利
- 专利分类
