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[发明专利]一种瞬态电压抑制二极管-CN202211325077.7在审
发明人：吕全亚;郭建新;李俊;庄娟梅 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H10K10/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种瞬态电压抑制二极管，包括聚合物开关、TVS管芯片、封装体和引出脚；所述聚合物开关与TVS管芯片串接后封装在封装体内；所述引出脚设有两根，两根引出脚分别连接串接后的聚合物开关和TVS管芯片的两端并从封装体的两端引出；所述聚合物开关在常态时呈现低阻状态，而当TVS管芯片处于击穿失效时，整体TVS管则呈现高阻状态。本发明通过串接聚合物开关的方式，使TVS瞬态电压抑制二极管在并联于电源回路中，一旦击穿失效能呈现高阻状态，显著提高整体电路部件的安全性，降低整个应用电路部件的失效成本,且使维修更为简便。
一种瞬态电压抑制二极管

[实用新型]一种超低温度漂移稳压二极管-CN202221804310.5有效
发明人：吕全亚;郭建新;钱永江;李俊;庄娟梅 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超低温度漂移稳压二极管，包括壳体以及封装在壳体内的晶粒组，所述晶粒组包括至少一组串联设置的正温度漂移第一晶粒和负温度漂移第二晶粒；所述晶粒组的两端对称连接有延伸至壳体外部的引脚。本实用新型能够根据电路需求设计多种型号规格，扩大了超低温度漂移稳压二极管的电压范围，拓展了电路应用的选型，提高了电路工作稳定性。
一种温度漂移稳压二极管

[实用新型]一种反向恢复时间小的二极管组合器件-CN202222005076.6有效
发明人：吕全亚;郭建新;钱永江;李俊;庄娟梅 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反向恢复时间小的二极管组合器件，包括二极管、封装壳体、第一引脚和第二引脚；所述二极管设有至少两个，并且全部二极管顺向串联封装在封装壳体内；所述第一引脚和第二引脚的一端均设置在封装壳体内并分别连接串联后全部二极管的两端；所述第一引脚和第二引脚的另一端位于封装壳体的外部。本实用新型通过将至少两个二极管顺向串联，能够减小反向恢复时间TRR，而二极管顺向串联后封装在封装壳体内，使得本实用新型成为一个组合器件，实现了不增加PCB板的焊点，又能提高开关电源线路的工作频率达到缩小开关电源整机体积的目的。
一种反向恢复时间二极管组合器件

[实用新型]一种小结电容TVS器件-CN202222022617.6有效
发明人：吕全亚;郭建新;钱永江;李俊;庄娟梅 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小结电容TVS器件，包括快恢复二极管芯片、TVS管芯片、封装壳体、第一引出脚和第二引出脚；所述快恢复二极管芯片和TVS管芯片以背对背的方式串联封装在封装壳体内；所述第一引出脚的一端设置在封装壳体内并连接快恢复二极管芯片远离TVS管芯片的一端；所述第二引出脚的一端设置在封装壳体内并连接TVS管芯片远离快恢复二极管芯片的一端；所述第一引出脚和第二引出脚的另一端位于封装壳体的外部。本实用新型将快恢复二极管芯片和TVS管芯片以背对背的方式串联封装在封装壳体内形成的组合二极管器件，能够减小结电容，同时获得比单个TVS管更快的响应速度。
一种小结电容 tvs 器件

[实用新型]一种并联结构大功率肖特基二极管-CN202221664439.0有效
发明人：吕全亚;郭建新;钱永江;李俊;庄娟梅 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种并联结构大功率肖特基二极管，包括壳体以及封装在壳体内的芯片组，所述壳体的两端分别设有与芯片组相连的引线，所述芯片组包括至少两个沿引线的长度方向排列设置且通过引线相互并联的肖特基芯片。本实用新型通过将至少两个肖特基芯片并联封装在壳体内，等效为更大面积的芯片，从而获得低成本且性能优异的二极管，同时肖特基芯片沿引线的长度方向排列设置，同时减小了封装体积，进而扩大了电路应用场合。
一种并联结构大功率肖特基二极管

[发明专利]一种测量SiC器件结电容的装置-CN202210850370.9在审
发明人：吕全亚;郭建新;钱永江;李俊;庄娟梅 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量SiC器件结电容的装置，包括无极性模块、隔离限流泄放模块和隔离测试模块，所述无极性模块的输入端接外部电源，输出端接隔离限流泄放模块，所述隔离限流泄放模块的输出端接隔离测试模块；所述隔离测试模块设有测试接口，所述隔离测试模块的两端分别接测试接口和电容测试仪器。本发明通过设置隔离限流泄放模块保护被测元件及电容测试仪器，通过隔离测试模块的测试接口来连接被测元件，隔离测试模块还可以保护电容测试仪器不被直流高压损坏，提高电容测试的精度及可靠性。
一种测量 sic 器件电容装置

[发明专利]一种功率器件的动态电阻的测量电路-CN202210782149.4在审
发明人：吕全亚;郭建新;钱永江;李俊;庄娟梅 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01R27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的动态电阻的测量电路，包括：恒流源；为所述测量电路的元器件提供稳定的横流电流；方波驱动器，输出单一脉冲或连续脉冲；测量保持电路，包括电压测量仪，所述测量保持电路与所述恒流源的输出端连接；电子开关，为三路电子开关，一路连接所述恒流源的输出端，一路连接所述方波驱动器，另一路连接所述测量保持电路；采样电路，包括三个用于连接待测功率器件的接口；三个所述接口分别与所述恒流源、方波驱动器和测量保持电路连接。本发明的电路不但适用于SiC功率器件，而且也适用于常规的功率器件及氮化镓器件以及IGBT模块的测量。
一种功率器件动态电阻测量电路

[实用新型]一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置-CN202120176066.1有效
发明人：吕全亚;周俏燕;庄娟梅;陈丽娜 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置，包括主芯片、基板，主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面不同，金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点，第一触点引出端为栅极，第二触点引出端为漏极，第三触点引出端为源极，第一触点、第二触点和第三触点设置在主芯片不同区域；基板上设有限流电阻、热敏电阻、稳压管；热敏电阻与稳压管并联后与限流电阻串联。该内驱动保护装置通过对碳化硅MOSFET进行栅驱动电压限制和热量限制，有效解决栅驱动电压被击穿和电路热量平衡问题，提高电力电子变换器的可靠性；该碳化硅MOSFET不需要引入外置保护电路，结构简单，装配简便。
一种碳化硅 mosfet 驱动保护装置

[实用新型]一种碳化硅MOSFET栅驱幅度限制内驱动保护装置-CN202023331328.1有效
发明人：吕全亚;周俏燕;庄娟梅;陈丽娜 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅MOSFET栅驱幅度限制内驱动保护装置，包括主芯片、基板，金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点，第一触点引出端为栅极，第二触点引出端为漏极，第三触点引出端为源极；基板上设有限流电阻、稳压管，限流电阻第二点位与稳压管第二点位电连接，限流电阻第一点位与栅极电连接，稳压管第一点位与源极电连接；稳压管第二点位与主芯片上第一触点连接，第三触点与源极电连接；金属极与第二触点电连接。该内驱动保护装置将栅驱动电压限制在安全范围内，有效解决栅驱动电压被击穿的问题；不需要引入外置保护电路，装配简便。
一种碳化硅 mosfet 幅度限制驱动保护装置

[实用新型]一种碳化硅MOSFET热限制内驱动保护装置-CN202023314210.8有效
发明人：吕全亚;周俏燕;庄娟梅;陈丽娜 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅MOSFET热限制内驱动保护装置，包括主芯片、基板，主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面，金属板一侧设有栅极、漏极和源极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点和第三触点，第一触点和第三触点设置在主芯片不同位置处；基板上设有限流电阻、热敏电阻，限流电阻第二点位与热敏电阻第二点位电连接，限流电阻第一点位与栅极电连接，热敏电阻第一点位与源极电连接；热敏电阻第二点位与主芯片上第一触点连接，第三触点与源极电连接。该内驱动保护装置在碳化硅MOSFET正向驱动时对热量限制，当温度高时减小碳化硅MOSFET电流，达到热量平衡，有利于保护电路；在负驱动关断是形成放电回路，加速关断，结构简单，使用便捷。
一种碳化硅 mosfet 限制驱动保护装置

[发明专利]高可靠板级扇出型SiC MOSFET封装结构优化方法-CN202110312986.6在审
发明人：樊嘉杰;钱弈晨;侯峰泽;刘盼;吕全亚;张国旗 -专利权人：复旦大学;常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠板级扇出型SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的神经网络训练数据集；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，其中适应度值由神经网络算法预测得到。从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。
可靠板级扇出型 sic mosfet 封装结构优化方法

[发明专利]一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置-CN202110086631.X在审
发明人：吕全亚;周俏燕;庄娟梅;陈丽娜 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置，包括主芯片、基板，主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面不同，金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点，第一触点引出端为栅极，第二触点引出端为漏极，第三触点引出端为源极，第一触点、第二触点和第三触点设置在主芯片不同区域；基板上设有限流电阻、热敏电阻、稳压管；热敏电阻与稳压管并联后与限流电阻串联。该内驱动保护装置通过对碳化硅MOSFET进行栅驱动电压限制和热量限制，有效解决栅驱动电压被击穿和电路热量平衡问题，提高电力电子变换器的可靠性；该碳化硅MOSFET不需要引入外置保护电路，结构简单，装配简便。
一种碳化硅 mosfet 驱动保护装置

[实用新型]封装内保护碳化硅二极管-CN201922398096.2有效
发明人：吕全亚;郭建新;刘域庭;徐晨辰;陈莉娜 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及封装内保护碳化硅二极管。该碳化硅二极管包括封装外壳、位于封装外壳内的一个或多个串联在一起的芯片以及连接于封装外壳两端的引线，所述芯片内并联设有碳化硅二极管和电容器，所述电容器与电阻串联；当碳化硅二极管个数大于2时，相邻的碳化硅二极管共阴设置或共阳设置；每个碳化硅二极管分别与串联在一起的电容器和电阻并联；所述电阻为普通电阻或氧化锌电阻。该种封装内保护碳化硅二极管，在封装结构内可以消除吸收碳化硅二极管在应用时与电感元件所产生的尖峰高压，从而保护电路，提高碳化硅二极管的使用寿命；并缩短连接电路所需的引线，消除引线电感，防止引线辐射，减少电磁干扰。
封装保护碳化硅二极管

[发明专利]碳化硅二极管芯片内专用保护电路-CN202010151663.9在审
发明人：吕全亚;周琦;庄娟梅;郭建新;刘域庭;陈莉娜 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及碳化硅二极管芯片内专用保护电路，包括封装外壳、位于封装外壳内的一个或多个串联在一起的芯片以及连接于封装外壳两端的引线，所述芯片内设有碳化硅二极管、保护电路，所述保护电路包括电感和电容，所述电感和电容串联形成的保护电路与碳化硅二极管并联；所述保护电路还包括与电容并联的电阻，并联的电容和电阻与电感串联。该专用保护电路在封装结构内消除吸收碳化硅二极管在应用时与电感元件所产生的尖峰高压及高频干扰谐波，从而保护电路，提高碳化硅二极管的使用寿命；稳定并拉宽禁带的宽度，提高深度，吸收寄生谐波。
碳化硅二极管芯片专用保护电路

[实用新型]全波倍压整流桥-CN201822222095.8有效
发明人：陈莉娜;郭建新 -专利权人： 常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H02M7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全波倍压整流桥，第一玻璃钝化硅二极管，第一玻璃钝化硅二极管的阳极管用于连接交流电源的一端；第一储能电容，第一储能电容的一端与第一玻璃钝化硅二极管的阴极端连接，第一储能电容的另一端用于连接交流电源的另一端；第二玻璃钝化硅二极管，第二玻璃钝化硅二极管的阴极管用于连接交流电源的一端；第二储能电容，第二储能电容的一端与第二玻璃钝化硅二极管的阳极端连接，第二储能电容的另一端用于连接交流电源的另一端。本实用新型具有高频特性，以及体积小、成本低的优点。
玻璃钝化储能电容硅二极管交流电源倍压整流全波本实用新型高频特性体积小阳极端阳极管阴极端阴极管

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