[发明专利]电光器件在审
| 申请号： | 201811622842.5 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN110021532A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | P.斯特格利希;A.梅;C.梅;S.施拉德 | 申请（专利权）人： | IHP有限责任公司/莱布尼茨创新微电子研究所;维尔道技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/482;H01L25/16;G02F1/015;G02F1/35 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国法*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电光器件，包括‑具有正面和背面的半导体衬底；‑布置在半导体衬底的正面上的至少一个光子组件，该光子组件包括由非线性光学材料构成的有源层；其中‑至少一个腔，延伸穿过半导体衬底，并且将半导体衬底的正面上的有源层与半导体衬底的背面连接。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 电光器件 光子组件 源层 非线性光学材料 延伸穿过 背面 | ||
【主权项】：
1.一种电光器件(10)，包括：‑具有正面(14)和背面(16)的半导体衬底(12)；‑布置在所述半导体衬底(12)的正面(14)上的至少一个光子组件(18)，所述光子组件(18)包括由非线性光学材料构成的有源层(20)；其中‑至少一个腔(22)延伸穿过所述半导体衬底(12)，并且将所述半导体衬底(12)的正面(14)上的所述有源层(20)与所述半导体衬底(12)的背面(16)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
