[发明专利]电光器件在审
申请号: | 201811622842.5 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN110021532A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | P.斯特格利希;A.梅;C.梅;S.施拉德 | 申请(专利权)人: | IHP有限责任公司/莱布尼茨创新微电子研究所;维尔道技术大学 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/482;H01L25/16;G02F1/015;G02F1/35 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 德国法*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 半导体 电光器件 光子组件 源层 非线性光学材料 延伸穿过 背面 | ||
1.一种电光器件(10),包括:
-具有正面(14)和背面(16)的半导体衬底(12);
-布置在所述半导体衬底(12)的正面(14)上的至少一个光子组件(18),所述光子组件(18)包括由非线性光学材料构成的有源层(20);其中
-至少一个腔(22)延伸穿过所述半导体衬底(12),并且将所述半导体衬底(12)的正面(14)上的所述有源层(20)与所述半导体衬底(12)的背面(16)连接。
2.根据权利要求1所述的电光器件,包括
-距所述半导体衬底的正面第一距离处的光子器件平面上的所述光子组件,以及
-互连堆叠体,所述互连堆叠体布置在所述半导体衬底的正面上并且包括所述互连堆叠体内相应级别处的至少两个金属平面上的导体道,所述互连堆叠体距所述半导体衬底的正面的距离比所述第一距离更大,其中
-所述金属平面中的不同平面上的所述导体道由相应的介电材料层彼此分离开,并且其中
-一个或多个导电通孔连接布置在所述金属平面中的不同平面上的所述导体道中的至少两个。
3.根据权利要求2所述的电光器件,其中所述光子平面上的所述光子组件的有源层被介电材料覆盖,所述介电材料与所述非线性光学材料不同并且布置在距所述半导体表面比所述互连堆叠体的金属平面的最底层距所述半导体表面更小的距离处,并且由所述导电通孔中的至少一个横穿。
4.根据前述权利要求中的至少一项所述的电光器件,还包括在所述半导体衬底的背面上用于将所述至少一个腔从环境氛围密封的背面封装。
5.根据权利要求4所述的电光器件,其中所述背面封装是接合到所述半导体衬底的封装晶片。
6.根据前述权利要求中的至少一项所述的电光器件,其中所述非线性光学材料是有机材料或无机材料,其展示了二阶或三阶的非线性光学效应。
7.根据权利要求2所述的电光器件,其中所述光子组件是电光调制器,其中
-所述有源层的非线性光学材料展示了对施加到所述非线性光学材料的电场的非线性光学响应,并且将所述非线性光学材料光学地连接以接收光载波信号,并且其中
-所述电光调制器包括经由所述互连堆叠体电连接的场电极,以接收时间相关的电调制输入信号并且布置为取决于所述电调制输入信号在所述有源层中产生电场,并且其中
-所述有源层,根据其非线性光学响应,配置为取决于所述施加的电调制输入信号来调制所述光载波信号,以便于产生展示输出信号调制的光输出信号。
8.根据权利要求7所述的电光器件,还包括用于接收DC偏置电压的调制控制输入以及求和组件,所述求和组件配置为接收所述DC偏置电压和电输入信号并且配置为提供所述电调制输入信号作为所述DC偏置电压和所述电输入信号的总和。
9.根据权利要求7或8所述的电光器件,其中
-所述非线性光学材料布置在场电极的相应的内侧面之间,所述场电极的相应的内侧面由30nm和300nm之间的距离分离。
10.根据权利要求7至9中的至少一项所述的电光器件,还包括
-检测器组件,所述检测器组件布置在所述光子器件平面上,并且配置为从所述电光调制器接收所述光输出信号并且配置为于此响应下提供电检测器输出信号,其中
-所述互连堆叠体包括电子组件,所述电子组件布置在所述金属平面中的一个上并且与所述检测器组件电连接。
11.一种电光相移模块,包括
-配置为接收所述光载波信号的光输入;
-根据权利要求7至9中的至少一个的电光器件,所述电光器件配置为根据施加的时间相关的电调制输入信号通过在所述光载波信号中引入相移来产生展示输出信号调制的所述光输出信号;
-配置为提供所述光输出信号的光输出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IHP有限责任公司/莱布尼茨创新微电子研究所;维尔道技术大学,未经IHP有限责任公司/莱布尼茨创新微电子研究所;维尔道技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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