[发明专利]半导体封装件在审
| 申请号： | 201811581373.7 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110444539A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 郑景文;金哲奎;金硕焕;李京虎;朴成桓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/552;H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙丽妍;汪喆 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：支撑构件，具有第一表面和第二表面并具有通孔；用于屏蔽的第一金属层，设置在所述通孔的内侧壁以及所述支撑构件的所述第一表面和所述第二表面上；连接构件，设置在所述支撑构件的所述第一表面上，并具有重新分布层；半导体芯片，设置在所述通孔中；包封剂，密封位于所述通孔中的所述半导体芯片，并覆盖所述支撑构件的所述第二表面；用于屏蔽的第二金属层，设置在所述包封剂上，并通过穿透所述包封剂的连接槽过孔连接到所述用于屏蔽的第一金属层；以及加强过孔，设置在所述支撑构件的与所述连接槽过孔重叠的区域中，并连接到所述用于屏蔽的第一金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑构件 屏蔽 通孔 半导体封装件 第一金属层 第二表面 第一表面 包封剂 半导体芯片 连接槽 第二金属层 重新分布层 连接构件 内侧壁 密封 穿透 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，包括：支撑构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面并具有通孔；用于屏蔽的第一金属层，设置在所述通孔的内侧壁以及所述支撑构件的所述第一表面和所述第二表面上；连接构件，设置在所述支撑构件的所述第一表面上，并具有重新分布层；半导体芯片，设置在所述通孔中，并具有连接到所述重新分布层的连接焊盘；包封剂，密封位于所述通孔中的所述半导体芯片，并覆盖所述支撑构件的所述第二表面；用于屏蔽的第二金属层，设置在所述包封剂上，并通过穿透所述包封剂的连接槽过孔连接到所述用于屏蔽的第一金属层；以及加强过孔，设置在所述支撑构件的与所述连接槽过孔重叠的区域的至少一部分中，并连接到所述用于屏蔽的第一金属层。
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