[发明专利]一种IGBT器件封装结构有效
| 申请号： | 201811553590.5 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109686705B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 董志良 | 申请（专利权）人： | 董志良 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/10;H01L29/739 |
| 代理公司： | 合肥兴东知识产权代理有限公司 34148 | 代理人： | 胡东升 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT器件封装结构，其结构包括：封装壳体，以及设于封装壳体两端的外部电极，封装壳体的中心设有容置腔，IGBT器件的栅极端子伸入容置腔内与驱动板电性相连。通过将多个IGBT器件对称并联的容置于封装壳体内，在封装壳体两端设置外部电极分别与IGBT的集电极和发射极电性相连，并在封装壳体的中心预留容置腔，将与IGBT器件电性相连的驱动板安置于容置腔内，从而确保器件的布局对称，以及各芯片的驱动回路的对称，有利于芯片并联时的电流均衡，提高了器件电流增大时的运行稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT器件封装结构，其特征在于，包括：用于容置多个对称并联的IGBT器件的封装壳体，以及设于所述封装壳体两端分别与所述IGBT器件的集电极和发射极电性相连的外部电极，所述封装壳体的中心设有用于容置与所述IGBT器件电性相连的驱动板的容置腔，所述IGBT器件的栅极端子伸入所述容置腔内与所述驱动板电性相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于董志良，未经董志良许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811553590.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具不同驱动电流的环栅场效晶体管的集成电路结构及方法
- 下一篇：半导体结构
