[发明专利]一种IGBT器件封装结构有效

专利信息
申请号: 201811553590.5 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109686705B 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 董志良 申请(专利权)人: 董志良
主分类号: H01L23/02 分类号: H01L23/02;H01L23/10;H01L29/739
代理公司: 合肥兴东知识产权代理有限公司 34148 代理人: 胡东升
地址: 230088 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 器件 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种IGBT器件封装结构,其特征在于,包括:用于容置多个对称并联的IGBT器件的封装壳体,以及设于所述封装壳体两端分别与所述IGBT器件的集电极和发射极电性相连的外部电极,所述封装壳体的中心设有用于容置与所述IGBT器件电性相连的驱动板的容置腔,所述IGBT器件的栅极端子伸入所述容置腔内与所述驱动板电性相连,所述封装壳体包括同轴搁置的内壳体和外壳体,所述内壳体和所述外壳体的两侧端面齐平,所述内壳体和所述外壳体之间预留有用于容置所述IGBT器件的间隙,多个所述IGBT器件对称设于所述间隙内。

2.根据权利要求1所述的IGBT器件封装结构,其特征在于,所述外壳体和所述内壳体均为筒状结构,所述容置腔为所述内壳体的内部空间,所述外部电极为圆环形结构,所述外部电极的环体尺寸与所述间隙的宽度相适应。

3.根据权利要求1所述的IGBT器件封装结构,其特征在于,所述内壳体的表面开设有供所述栅极端子穿过的过孔。

4.根据权利要求3所述的IGBT器件封装结构,其特征在于,所述过孔在所述内壳体的表面周向均匀对称分布。

5.根据权利要求1所述的IGBT器件封装结构,其特征在于,所述封装壳体的材质为陶瓷。

6.根据权利要求1所述的IGBT器件封装结构,其特征在于,所述外部电极的材质为铜。

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