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[发明专利]一种波长可调的AlGaAs光电阴极-CN201910098554.2有效
发明人：赵静;郭婧;冯琤;张健 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明是一种波长可调的AlGaAs光电阴极，包括由下至上依次同心设置的玻璃窗口、Si3N4增透层、缓冲层和若干片发射层，所述的若干片发射层由下至上直径依次减小，每层发射层的上表面覆盖有激活层，每层激活层表面均覆盖有可拆卸的遮光帽；其中缓冲层采用AlxGa1‑xAs均匀掺杂缓冲层；若干片发射层采用不同Al组分的Alx’Ga1‑x’As发射层，若干片发射层中Al组分x’值由下至上依次减小，x’值介于1~0之间，若干片发射层均采用均匀掺杂方式，各片发射层中的掺杂浓度由下至上依次减小；激活层采用Cs/O激活层；该种光电阴极配合合适数量和位置的遮光帽，根据使用场景的不同能够实现波长可调的效果。
一种波长可调 algaas 光电阴极

[发明专利]一种提高砷化镓光电阴极发射性能的激活方法-CN202010697019.1有效
发明人：冯琤;刘健;张益军;钱芸生;宋宇飞;赵静 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01J9/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极发射性能的激活方法，包括步骤1在超高真空系统中对具有原子级清洁表面的GaAs光电阴极进行高温加热；2超高真空系统温度降至室温后开启铯源量子效率逐渐增长直至到达首个铯峰；保持铯源开启当量子效率保持稳定或下降至首个铯峰的80%~85%时，打开氟源，同时铯源保持开启，量子效率再次开始上升，直到达到第二个峰值；关闭氟源，量子效率开始下降，当量子效率到达谷底时，关闭铯源，量子效率会转而上升到第3个峰值，然后保持比较好的稳定性；3再次将GaAs光电阴极放入超高真空系统中进行加热处理，并重复步骤2后，结束激活过程。本发明可以得到量子效率高、稳定性更好的GaAs光电阴极。
一种提高砷化镓光电阴极发射性能激活方法

[发明专利]一种太赫兹宽带三次谐波混频器-CN202010436725.0有效
发明人：蒋姝;丁杨;冯琤;刘扬;宋宇飞;余雨;许恒飞;刘婷婷 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种太赫兹宽带三次谐波混频器，包括混频器电路基片、金属腔体和肖特基二极管；混频器电路基片上设有波导‑悬置带线‑微带过渡结构、接地通孔、悬置带、开路线枝节、金属铺地、中频低通滤波器、中频端微带线、扇形探针和微带线，金属腔体包括射频端波导和本振端波导。本发明采用波导‑悬置带线‑微带过渡结构，降低了失配引起的损耗，增大了有效带宽，尺寸小、易加工、成本低。
一种赫兹宽带三次谐波混频器

[发明专利]一种微带低通滤波器及传输零点确定、频率设置方法-CN202110617591.7有效
发明人：闵立中;蒋姝;杨会军;刘扬;冯琤;许恒飞;刘婷婷 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了通信系统技术领域的一种微带低通滤波器及传输零点确定、频率设置方法，旨在解决现有技术中微带低通滤波器的电路尺寸较大，不利于系统小型化的技术问题。包括：输入输出端口，包括输入端口和输出端口，二者均直接连接高阻抗开路枝节和加载六边形谐振器的平行耦合线，所述折叠高阻抗开路枝节和加载六边形谐振器的平行耦合线的数量均为两个。本发明中的微带低通滤波器电路结构紧凑，解决了现有技术中微带低通滤波器的电路尺寸较大，不利于系统小型化的技术问题；提高了阻带宽度和阻带抑制度，具体的，该微带低通滤波器具有覆盖至40GHz的超宽阻带，且相对阻带带宽达到了182％，阻带抑制度优于25dB，其中70％的阻带频段抑制度达到了30dB。
一种微带滤波器传输零点确定频率设置方法

[发明专利]一种干扰宽带雷达的DRFM高速采样实现系统和方法-CN202111134155.0在审
发明人：杨会军;程啟华;何锡点;盛云龙;蒋姝;刘扬;冯琤 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G01S7/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种干扰宽带雷达的DRFM高速采样实现系统和方法，所述系统开关滤波器组，用于接收宽带雷达信号，将宽带雷达信号分成M路子带，开关滤波器组输出接M路低速A/D转换器；M路低速A/D转换器，用于在频域上覆盖宽带雷达信号频谱；串并结构对A/D转换器的输出进行N次移位处理后，将数据发送给外部存储器；干扰控制器用于控制外部存储器进行干扰调制，调制后数据由外部存储器发送给移位寄存器，移位寄存器输出接D/A转换器，得到M路子带模拟信号，M路子带模拟信号经合路器输出宽带中频干扰信号。本发明在低速采样率条件下实现了较高分辨率，对宽带雷达具有较好的干扰效能。
一种干扰宽带雷达 drfm 高速采样实现系统方法

[发明专利]一种基于RFID的物品数据采集与智能仓储管理系统-CN202111134480.7在审
发明人：杨会军;蒋姝;闵立中;陈璟;薛李萌;杭佳;董浩伟;程啟华;何锡点;盛云龙;刘扬;冯琤;金晶;张仟凤;肖睿诗 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G06Q10/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于RFID的物品数据采集与智能仓储管理系统，包括采集层、传输层和管理层；所述采集层，用于通过射频识别设备采集数据；所述传输层，用于通过无线通信技术，将采集层采集的数据传递到云端数据库；所述管理层，用于对采集的数据进行处理和管理。本发明将RFID技术应用于传统仓储管理系统，在物品上安装电子标签作为货物的唯一标志码，阅读器发射射频信号激活标签，接收标签反馈数据并进行数据存储，从而自动实现物品数据采集和管理，提高仓储系统管理效率。
一种基于 rfid 物品数据采集智能仓储管理系统

[发明专利]一种基于检波器的77GHz功率监测电路-CN202110032298.4在审
发明人：蒋姝;刘扬;杨会军;冯琤;宋宇飞;刘婷婷;许恒飞 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01R21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于检波器的77GHz功率监测电路，包括W波段标准波导、波导微带鳍线过渡结构、50Ω微带线、平行耦合器、MMIC衰减器芯片、50Ω薄膜电阻、检波器电路和运放电路；由于平行耦合器的P1和P2端口可以分别用作输入和输出或者输出和输入，提供正常工作时的信号传输通道；另外一小部分信号会同时传输至平行耦合器的P3端口，送给检波器电路实现功率监测。本发明的电路既可以级联在接收机输入端构成接收机实时保护电路，也可以级联在发射机输出端构成发射机功率实时监测电路，且不影响收发前端正常工作，不会导致接收机和发射机的性能恶化。
一种基于检波器 77 ghz 功率监测电路

[发明专利]一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法-CN201710782391.0有效
发明人：张益军;张景智;冯琤;张翔;钱芸生;张俊举;戴庆鑫 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-09-02 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法，即在超高真空激活系统中，采用波长为532nm的单色光源替代传统的卤坞灯光源进行激活。其激活步骤包括：1.对待激活的GaAs样品进行化学清洗；2.对化学清洗后的样品进行高温净化；3.采用波长为532nm的单色光源照射阴极表面，通过Cs源持续，氧源断续的工艺对样品进行激活。通过上述方法所获得的GaAs光电阴极在量子效应和稳定性上都有了明显提高。
一种提高 gaas 光电阴极量子效率寿命激活方法

[发明专利]一种基于深度学习的AlGaAs光电阴极结构设计方法-CN202010497302.X在审
发明人：赵静;冯琤;郭婧;张健;覃翠;余辉龙;何睿清;魏峘;孙啸林;王可依 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：一种基于深度学习的AlGaAs光电阴极结构设计方法，涉及光电子探测材料、深度学习的技术领域。本发明包括如下步骤：构建多层结构的AlGaAs光电阴极结构；结合构建的AlGaAs光电阴极结构，建立一个训练数据集；将训练数据集输入到训练神经网络；对训练后的神经网络进行测试，得到AlGaAs光电阴极结构设计。本发明利用深度学习理论，自动训练出符合要求的AlGaAs光电阴极结构，极大地减小设计的时间成本和实验成本，获得高效、有效的结果。能快速实现AlGaAs光电阴极按需结构设计，如夜天空下微光像增强器、海洋光电子探测器件、真空电子源、太阳能电池等不同光谱响应要求的领域。
一种基于深度学习 algaas 光电阴极结构设计方法

[发明专利]一种多层复杂结构GaAs光电阴极-CN201911109780.2在审
发明人：冯琤;宋宇飞;张益军;刘健;赵静;杨会军;刘扬 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层复杂结构GaAs光电阴极，该阴极自下而上由高质量n型GaAs衬底、p型掺杂Ga
单元分层发射层缓冲层光电阴极指数掺杂分布式布拉格反射阴极布拉格反射发射表面发射效率复杂结构界面处衬底多层掺杂

[发明专利]一种变组分变掺杂反射式Al-CN201911009209.3在审
发明人：冯琤;刘健;张益军;宋宇飞;赵静;杨会军;刘扬;蒋姝 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种变组分变掺杂反射式Al
阴极单元分层光电阴极发射层缓冲层界面处掺杂发射表面分层结构均匀掺杂量子效率浓度分布反射式过渡层衬底减小输运光电子制备体内

[发明专利]一种具有快速滚降特性的太赫兹全波段波导带通滤波器-CN201911057817.1在审
发明人：蒋姝;王文博;徐金平;冯琤;刘扬;杨会军;宋宇飞;朱昊;包永强;许恒飞;刘婷婷 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：一种具有快速滚降特性的太赫兹全波段波导带通滤波器，涉及太赫兹波导带通滤波器的技术领域。本发明包括依次串联的输入端标准波导M1、H面感性膜片结构滤波器单元M2、第一连接波导M3、第一对称型限波谐振腔M4、第二连接波导M5、第二对称型限波谐振腔M6、输出端标准波导M7，其中输入端标准波导M1、第一连接波导M3、第二连接波导M5、输出端标准波导M7均为WR06标准波导。本发明实现了在过渡段滚降速率大,结构简单易加工,具有带内低插损的目的。
标准波导连接波导波导带通滤波器对称型输出端输入端谐振腔结构滤波器感性膜片依次串联过渡段全波段易加工插损

[发明专利]提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF3激活方法-CN201911042061.3在审
发明人：冯琤;刘健;张益军;宋宇飞;赵静;刘扬;蒋姝;杨会军 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明涉及提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF
光电阴极激活超高真空系统超高真空高温净化光谱响应化学刻蚀激活系统脱脂清洗单色光波段红光光照净化

[实用新型]一种波长可调的AlGaAs光电阴极-CN201920174591.2有效
发明人：赵静;郭婧;冯琤;张健 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本实用新型是一种波长可调的AlGaAs光电阴极，包括由下至上依次同心设置的玻璃窗口、Si₃N₄增透层、缓冲层和若干片发射层，所述的若干片发射层由下至上直径依次减小，每层发射层的上表面覆盖有激活层，每层激活层表面均覆盖有可拆卸的遮光帽；其中缓冲层采用Al_xGa_1‑xAs均匀掺杂缓冲层；若干片发射层采用不同Al组分的Al_x’Ga_1‑x’As发射层，若干片发射层中Al组分x’值由下至上依次减小，x’值介于1~0之间，若干片发射层均采用均匀掺杂方式，各片发射层中的掺杂浓度由下至上依次减小；激活层采用Cs/O激活层；该种光电阴极配合合适数量和位置的遮光帽，根据使用场景的不同能够实现波长可调的效果。
发射层激活层波长可调光电阴极依次减小缓冲层均匀掺杂遮光帽本实用新型玻璃窗口可拆卸的使用场景同心设置上表面增透层覆盖掺杂配合

[发明专利]一种提高砷化镓光电阴极稳定性的激活方法-CN201610168591.2有效
发明人：张益军;汤狸明;刘欣欣;冯琤;钱芸生;张俊举;张翔 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极稳定性的激活方法，包括铯源激活和氧源激活，其激活步骤如下：1、开启铯源，光电流逐渐上升，光电流达到峰值后下降；2、当光电流下降速率小于0.2μA/min时，开启氧源，并保持铯源开启状态，光电流转为上升；3、当光电流再次到达峰值时关闭氧源，光电流先小幅上升然后立刻下降；4、重复步骤2和3，直到光电流的峰值电流不再增加时，先后关闭氧源和铯源，结束激活过程。通过上述方式，本发明可以得到稳定性更好、量子效率更高的砷化镓光电阴极，同时由于操作步骤简单，为实现计算机自动控制激活提供了一种更好的激活方法。
一种提高砷化镓光电阴极稳定性激活方法

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