[发明专利]功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201811510348.X | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110098124A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 洪性兆;姜守昶;杨河龙;徐永浩 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;刘敏 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底中形成沟槽；在沟槽中形成栅极绝缘膜和栅电极；将第一导电类型杂质注入至半导体衬底中，以形成第一导电类型基体区；将第二导电类型杂质注入至半导体衬底的表面上，以形成第二导电类型源极区；在沟槽中形成层间绝缘膜；将第一导电类型杂质注入至半导体衬底的表面上，以形成第一导电类型高掺杂基体接触区；暴露沟槽的侧表面的一部分；以及形成与沟槽的所暴露的侧表面接触的源极金属。 | ||
| 搜索关键词： | 功率半导体器件 第一导电类型 衬底 半导体 杂质注入 侧表面 导电类型杂质 基体接触区 栅极绝缘膜 导电类型 源极金属 高掺杂 基体区 绝缘膜 源极区 栅电极 暴露 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造功率半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽的内壁上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；将第一导电类型杂质注入至所述半导体衬底中，以形成第一导电类型基体区；将第二导电类型杂质注入至所述半导体衬底的表面上，以形成第二导电类型源极区；在所述沟槽中形成层间绝缘膜；将所述第一导电类型杂质注入至所述半导体衬底的所述表面上，以形成第一导电类型高掺杂基体接触区；暴露所述沟槽的侧表面的一部分；以及形成与所述沟槽的所暴露的侧表面接触的源极金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
