[发明专利]操作减少读取干扰的电阻式存储设备的方法在审

专利信息
申请号: 201811494837.0 申请日: 2018-12-07
公开(公告)号: CN110021325A 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 金喜源;朴茂熙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种电阻式存储设备,包括:存储单元阵列,包括布置在字线和位线之间的相应交叉点处的电阻式存储单元;第一列选择电路,布置在存储单元阵列的一侧,并且配置为选择性地连接与电阻式存储单元中的所选存储单元连接的位线;第二列选择电路,布置在与第一列选择电路相对的存储单元阵列的另一侧,并且配置为选择性地连接与所选存储单元连接的位线;以及控制电路,配置为从第一列选择电路和第二列选择电路中确定相对于所选存储单元的远列选择电路,并且在针对所选存储单元的读取操作期间启用远列选择电路。
搜索关键词: 列选择电路 存储单元 存储单元阵列 位线 电阻式存储单元 选择性地连接 存储设备 电阻式 配置 读取操作期间 读取干扰 交叉点处 控制电路 字线
【主权项】:
1.一种电阻式存储设备,包括:存储单元阵列,包括布置在字线和位线之间的相应交叉点处的电阻式存储单元;第一列选择电路,布置在存储单元阵列的一侧,并且配置为选择性地连接与电阻式存储单元中的所选存储单元连接的位线;第二列选择电路,布置在与第一列选择电路相对的存储单元阵列的另一侧,并且配置为选择性地连接与所选存储单元连接的位线;以及控制电路,配置为从第一列选择电路和第二列选择电路中确定相对于所选存储单元的远列选择电路,并且在针对所选存储单元的读取操作期间启用远列选择电路。
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