[发明专利]操作减少读取干扰的电阻式存储设备的方法

说明书

本发明公开了一种电阻式存储设备，包括：存储单元阵列，包括布置在字线和位线之间的相应交叉点处的电阻式存储单元；第一列选择电路，布置在存储单元阵列的一侧，并且配置为选择性地连接与电阻式存储单元中的所选存储单元连接的位线；第二列选择电路，布置在与第一列选择电路相对的存储单元阵列的另一侧，并且配置为选择性地连接与所选存储单元连接的位线；以及控制电路，配置为从第一列选择电路和第二列选择电路中确定相对于所选存储单元的远列选择电路，并且在针对所选存储单元的读取操作期间启用远列选择电路。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月8日向韩国知识产权局提交的第10-2018-0002140号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入于此。

技术领域

本发明构思涉及非易失性存储设备，并且更具体地，涉及减少读取干扰的可能性的电阻式存储设备。本发明构思还涉及操作电阻式存储设备的方法。

背景技术

电阻式存储器(诸如相变随机访问存储器(PRAM)、电阻式RAM(RRAM)和磁性RAM(MRAM))被公知为非易失性存储设备。电阻式存储器使用可变电阻元件作为存储单元，可变电阻元件的电阻状态改变以存储数据。通过在多个位线和多个字线之间的每个交叉点处定位这样的存储单元来形成交叉点电阻式存储设备。在交叉点电阻式存储设备中，通过向存储单元的两端施加电压来访问存储单元，并且存储单元基于存储单元的阈值电阻来存储数据值“1”(低电阻状态)或“0”(高电阻状态)。在交叉点电阻式存储设备的读取操作期间，由存储单元传导的电流可能产生高于可接受水平的尖峰。这样的电流尖峰可能导致读取干扰，其能够损坏电阻式存储单元和/或降低存储系统性能。

发明内容

本发明构思提供了电阻式存储设备、存储系统及其操作方法，其通过限制读取操作期间在存储单元中发生的电流尖峰来降低读取干扰的可能性。

在一个方面中，本发明构思提供一种电阻式存储设备，包括：存储单元阵列，包括布置在字线和位线之间的相应交叉点处的电阻式存储单元；第一列选择电路，布置在存储单元阵列的一侧并且配置为选择性地连接与电阻式存储单元中的所选存储单元连接的位线；第二列选择电路，布置在与第一列选择电路相对的存储单元阵列的另一侧并且配置为选择性地连接与所选存储单元连接的位线；以及控制电路，配置为从第一列选择电路和第二列选择电路中确定相对于所选存储单元的远列选择电路，并且在针对所选存储单元的读取操作期间启用远列选择电路。

在另一方面中，本发明构思提供一种电阻式存储设备，包括：存储单元阵列，包括布置在字线和位线之间的相应交叉点处的电阻式存储单元；列选择电路，配置为响应于列选择信号将电阻式存储单元中的所选存储单元的位线连接到数据线；以及控制电路，配置为在针对所选存储单元的读取操作期间，响应于列选择电路和所选存储单元之间的物理距离可变地设置列选择信号的电压电平。

在另一方面中，本发明构思提供一种操作包括存储单元阵列的存储设备的方法，该存储单元阵列包括电阻式存储单元、第一列选择电路和第二列选择电路，其中，第一列选择电路和第二列选择电路包围存储单元阵列。该方法包括：执行用于选择存储单元的访问操作；从第一列选择电路和第二列选择电路中确定相对于所选存储单元的远列选择电路；启用远列选择电路；通过启用的远列选择电路将所选存储单元的位线电压传送到数据线；以及通过将位线电压与参考电压进行比较来检测存储在所选存储单元中的数据。

附图说明

根据以下结合附图的详述的描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：

图1是示出根据本发明构思的实施例的存储系统的框图；

图2是在一个示例中进一步示出根据本发明构思的实施例的图1的存储阵列110的框图，并且图3是图2的存储单元阵列的等效电路图；

图4A、图4B和图4C是示出图3的存储单元的可能实现方式变型的相应电路图；