[发明专利]用于处理半导体裸片及制作经重构晶片的方法有效
| 申请号： | 201811471279.6 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN110021558B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | A·M·贝利斯;J·M·戴德里安;李晓 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及用于处理半导体裸片及制作经重构晶片的方法。用于处理半导体裸片的方法包括：从半导体晶片的表面移除材料以形成在所述半导体晶片的横向外围处由侧壁环绕的凹穴；在所述凹穴的底部上形成膜；及在互相间隔开的位置中将半导体裸片固定到所述膜。将电介质模制材料放置在所述凹穴中在所述半导体裸片上方及之间，从所述半导体晶片的另一表面移除材料以暴露所述膜，暴露所述半导体裸片的接合垫，形成与相关联半导体裸片的所述接合垫电连通的重布层，及沿着所述半导体裸片之间的空间将所述重布层及相关联半导体裸片单个化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体 制作 经重构 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理半导体裸片的方法，所述方法包括：从半导体晶片的表面移除材料以形成由侧壁环绕的凹穴；在所述凹穴的底部上形成膜；在互相间隔开的位置中将所述半导体裸片固定到所述膜；将电介质模制材料放置在所述凹穴中在所述半导体裸片上方及之间；从所述半导体晶片的另一表面移除材料以暴露所述膜；暴露所述半导体裸片的接合垫；形成与相关联半导体裸片的所述接合垫电连通的重布层；及沿着所述半导体裸片之间的空间将所述重布层及相关联半导体裸片单个化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
