[发明专利]用于处理半导体裸片及制作经重构晶片的方法

权利要求书

1.一种用于处理半导体裸片的方法，所述方法包括：

从半导体晶片的表面移除材料以形成由侧壁环绕的单个凹穴；

在所述单个凹穴的底部上形成膜；

在所述单个凹穴内由深蚀道分开的互相间隔开的位置中将包括半导体裸片的行及列的半导体裸片阵列固定到所述膜；

将电介质模制材料放置在所述单个凹穴中在所述半导体裸片上方、周围以及所述半导体裸片中的每一者之间并环绕所述半导体裸片中的每一者的所述深蚀道之中以将每一半导体裸片的背部以及所有侧面与所述电介质模制材料接触；

从所述半导体晶片的另一表面移除材料以暴露所述膜；

暴露所述半导体裸片的接合垫；

在经暴露的接合垫上形成一组互连的重布层，每一重布层与相关联半导体裸片的所述接合垫电连通；及

沿着所述半导体裸片之间的所述深蚀道且穿过所述电介质模制材料将所述重布层及相关联半导体裸片单个化。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在将所述重布层及相关联半导体裸片单个化之前，从所述半导体裸片的背部上方移除电介质模制材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述凹穴的底部上形成膜包括：在所述凹穴的所述底部上形成金属材料膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其中形成金属材料膜包括：形成铜、镍、金或锡中的至少一者的膜。

5.根据权利要求3所述的方法，其中将所述半导体裸片固定到所述膜包括：通过扩散接合或通过所述金属材料膜的回焊将所述半导体裸片固定到所述金属材料膜。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述凹穴的底部上形成膜包括：形成电介质膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其中形成电介质膜包括：形成聚酰亚胺、BCB、基于苯基的材料或基于环氧树脂的材料的膜。

8.根据权利要求6所述的方法，其中将所述半导体裸片固定到所述膜包括：将所述半导体裸片固定到经部分固化电介质膜。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

从半导体晶片的所述表面移除材料包括：研磨所述材料；且

从所述半导体晶片的所述另一表面移除材料包括：蚀刻所述材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中沿着所述半导体裸片之间的空间将所述重布层及相关联半导体裸片单个化包括：形成扇出型封装。

11.一种用于处理半导体裸片的方法，所述方法包括：

通过以下方式在半导体晶片中形成单个凹穴：从所述半导体晶片的一个主要表面朝向相对主要表面研磨硅并留下环绕所述凹穴的硅侧壁；

在所述凹穴的底部上沉积包括电介质材料及金属材料中的一者的膜；

以阵列形式通过作用表面将半导体裸片接合到所述膜，所述阵列包括通过深蚀道互相分开的半导体裸片的行及列；

用延伸到所述深蚀道中的电介质模制材料填充所述单个凹穴以囊封所述半导体裸片的所有侧面及背部；

通过从所述半导体晶片的所述相对主要表面蚀刻硅而暴露所述膜；图案化所述膜以暴露所述半导体裸片的接合垫；

在每一半导体裸片上基本上同时形成与相关联半导体裸片的所述接合垫电连通的重布层以形成经重构半导体晶片；及

穿过所述电介质模制材料沿着所述半导体裸片之间的深蚀道将每一重布层及至少一个相关联半导体裸片单个化。

12.根据权利要求11所述的方法，其中沉积膜包括：沉积聚酰亚胺、BCB、基于苯基的材料或基于环氧树脂的材料的电介质膜。

13.根据权利要求12所述的方法，其中将半导体裸片接合到所述膜包括：接合到经部分固化膜材料。