[发明专利]用于处理半导体裸片及制作经重构晶片的方法

说明书

本申请案涉及用于处理半导体裸片及制作经重构晶片的方法。用于处理半导体裸片的方法包括：从半导体晶片的表面移除材料以形成在所述半导体晶片的横向外围处由侧壁环绕的凹穴；在所述凹穴的底部上形成膜；及在互相间隔开的位置中将半导体裸片固定到所述膜。将电介质模制材料放置在所述凹穴中在所述半导体裸片上方及之间，从所述半导体晶片的另一表面移除材料以暴露所述膜，暴露所述半导体裸片的接合垫，形成与相关联半导体裸片的所述接合垫电连通的重布层，及沿着所述半导体裸片之间的空间将所述重布层及相关联半导体裸片单个化。

优先权主张

本申请案主张于2017年12月21日提出申请的题为“用于处理半导体裸片及制作并入有半导体裸片的组合件的方法(METHODS FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR DICE ANDFABRICATING ASSEMBLIES INCORPORATING SAME)”的第15/851,304号美国专利申请案的申请日期的权益。

技术领域

本文中所揭示的实施例涉及对经单个化半导体裸片的处理。更明确地说，本文中所揭示的实施例涉及在晶片规模上对经单个化半导体裸片的处理且涉及制作经重构晶片及扇出型封装半导体装置的方法。

背景技术

所谓的扇出型封装(FOP)配置中的半导体裸片正变为受欢迎的封装选项，特别是对于在例如智能电话及平板计算机等移动装置以及汽车应用中的使用，这是因为所述组合件实现了超薄高密度封装。所述技术消除了常规中介层的使用，且在芯片规模封装中所使用的半导体裸片经历一或多次收缩而导致缺少用于相关联球栅阵列(BGA)的空间时特别适用。在FOP技术中，采用包括至少一个导电迹线层级的重布层(RDL)来提供外部连接点，例如BGA，小则具有半导体裸片上的接合垫的细小间距，大则具有更大占用面积且在外部连接点之间具有大得多的间距。

常规地，FOP制作依据裸片优先晶片级方法或裸片最后晶片级方法而实施。在裸片优先方法中，在囊封于载体衬底上的先前经单个化半导体裸片的阵列上制作重布层阵列，并将所囊封裸片及每一相关联重布层(RDL)从阵列单个化。在裸片最后方法中，在载体衬底上制作RDL阵列，将半导体裸片连接到RDL，将裸片囊封，并接着将每一半导体裸片及相关联RDL从阵列单个化。在一些例子中，将多个半导体裸片连接到相同RDL，但制作工艺是相同的。

对于常规裸片优先工艺，裸片移位是一个挑战，在RDL制作之后，非均匀边缘及处理也是一个挑战。与常规晶片相比，如此形成的半导体裸片与RDL阵列尺寸过小，因而呈现处置问题且需要修改用于晶片处置的工具。常规裸片优先制作技术涉及将半导体裸片阵列的作用表面向下放置在上面具有粘合剂的载体衬底上。半导体裸片由电介质模制材料囊封，此后将载体衬底及粘合剂从表征为经重构晶片的所模制半导体裸片阵列移除，且移除残余粘合剂。接着将经重构晶片倒置，并在半导体裸片的作用表面上方形成RDL，附接或形成焊球或其它外部连接，且接着将经重构晶片单个化。

上文所描述裸片优先方法需要昂贵的粘合剂及用以移除粘合剂的溶剂，经重构晶片的翘曲可因在固化期间模制材料的收缩而发生，且经重构晶片因与处置装备设计用于的标准晶片相比尺寸过小而呈现处置问题。

发明内容

一种用于处理半导体裸片的方法，所述方法包括：从半导体晶片的表面移除材料以形成由侧壁环绕的凹穴；在所述凹穴的底部上形成膜；及在互相间隔开的位置中将所述半导体裸片固定到所述膜。将电介质模制材料放置在所述凹穴中在所述半导体裸片上方及之间，从所述半导体晶片的另一表面移除材料以暴露所述膜，暴露所述半导体裸片的接合垫，形成与相关联半导体裸片的所述接合垫电连通的重布层，及沿着所述半导体裸片之间的空间将所述重布层及相关联半导体裸片单个化。