[发明专利]半导体模块、其制造方法以及电力变换装置有效
申请号: | 201811408623.7 | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN109860159B | 公开(公告)日: | 2023-05-19 |
发明(设计)人: | 田中康雄 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/15;H02M1/00;H02M7/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明得到能够防止可靠性的降低的半导体模块、其制造方法以及电力变换装置。比下表面电极(3)薄的导电薄膜(7)在陶瓷基板(2)的下表面与下表面电极(3)相比设置于外侧,与下表面电极(3)连接。从下表面电极(3)的外周至陶瓷基板(2)的外周为止的长度,与从上表面电极(4、5)的外周至陶瓷基板(2)的外周为止的长度相同。导电薄膜(7)的厚度小于或等于陶瓷基板(2)的厚度的一半。 | ||
搜索关键词: | 半导体 模块 制造 方法 以及 电力 变换 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体模块,其特征在于,具备:基座板;陶瓷基板,其设置于所述基座板之上;下表面电极,其设置于所述陶瓷基板的下表面,与所述基座板接合;上表面电极,其设置于所述陶瓷基板的上表面;半导体芯片,其与所述上表面电极接合;导电薄膜,其在所述陶瓷基板的下表面,与所述下表面电极相比设置于外侧,与所述下表面电极连接,比所述下表面电极薄;以及绝缘树脂,其对所述陶瓷基板、所述下表面电极、所述上表面电极、所述半导体芯片以及所述导电薄膜进行封装,从所述下表面电极的外周至所述陶瓷基板的外周为止的长度,与从所述上表面电极的外周至所述陶瓷基板的外周为止的长度相同,所述导电薄膜的厚度小于或等于所述陶瓷基板的厚度的一半。
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