[发明专利]一种P型SnSe热电材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201811406386.0 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109473538A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 赵立东;秦炳超 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 100000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及热电材料领域，尤其涉及一种P型SnSe热电材料，所述P型SnSe热电材料为Te和Na掺杂的SnSe，Sn、Se、Te和Na的摩尔比为(1‑x):(1‑y)：y：x；其中，0.015≤x≤0.025，0 |
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| 搜索关键词： | 热电材料 制备方法和应用 垂直温度梯度 晶体生长周期 热电转换效率 载流子迁移率 定向凝固 功率因子 控制晶体 掺杂的 摩尔比 温区 成功率 | ||
【主权项】：
1.一种P型SnSe热电材料，其特征在于，所述P型SnSe热电材料为Te和Na掺杂的SnSe材料，Sn、Se、Te和Na的摩尔比为(1‑x):(1‑y)：y：x；其中，0.015≤x≤0.025，0
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- 吴立明;林志盛;陈玲 - 中国科学院福建物质结构研究所
- 2012-12-14 - 2018-09-28 - H01L35/16
- 本发明涉及一种Pb掺杂In4Se3基热电材料In4‑xPbxSe3(x=0.01,0.02,0.04‑0.06)的制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最大达到0.8,比未掺杂提高40%，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，因此可用于热‑电转换器件制作。
- 一种热电材料、其制备方法及应用-201410837415.4
- 吴立明;林华;陈玲 - 中国科学院福建物质结构研究所
- 2014-12-29 - 2018-09-28 - H01L35/16
- 本申请公开了一种热电材料，其特征在于，含有CsAg5Te3晶体材料。所述热电材料700K时最佳热电优化值ZT可达1.6，并且具有较高稳定性，可多次循环使用。本申请还公开了一种CsAg5Te3晶体材料的制备方法，以Cs、Ag、Te为原料，采用高温固相法，一步合成CsAg5Te3晶体材料，在大幅缩短合成时间的同时，得到高纯度的产品。
- 一种基于β型碲化硅材料的热电转换元件及其制备方法-201710956939.9
- 王庶民;梁丹;张丽 - 超晶科技（北京）有限公司
- 2017-10-16 - 2018-09-25 - H01L35/16
- 本发明涉及热电转换元件领域，提供了一种基于β型碲化硅材料的热电转换元件及其制备方法，所述热电转换元件由P型半导体和N型半导体组成，其中所述P型半导体和所述N型半导体以串联方式电连接并以并联方式热连接，所述P型半导体包含β型碲化硅材料。本发明所提供的热电转换元件具有高塞贝克系数，高电导率及低热导率低。因此本发明所提供的热电转换元件具有较高的热电转换效率。
- 一种热电复合材料及其制备方法-201810363889.8
- 何宇;其他发明人请求不公开姓名 - 佛山市领卓科技有限公司
- 2018-04-22 - 2018-09-14 - H01L35/16
- 本发明公开了一种热电材料的结构及其制备工艺，该热电材料采用多孔膜作为基底，然后在其上溅射热电材料。热电材料一部分填充与多孔膜的间隙中，然后在表面形成纳米级的薄膜。该复合材料的热电特性优异，热电系数高。
- 专利分类
