[发明专利]一种三维铁电存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种三维铁电存储器及其制作方法，包括提供衬底；在衬底表面形成堆叠层以及贯穿堆叠层的沟道孔，堆叠层包括多层交替排布的氧化硅层和氮化硅层；在沟道孔侧壁形成铁电存储层、第一缓冲层、第二缓冲层和填充层，铁电存储层的材料为氧化铪或掺杂的氧化铪；去除氮化硅层，并在氮化硅层所在的区域形成栅极层。由于铁电存储层的材料为氧化铪或掺杂的氧化铪，与传统的钙钛矿相比，氧化铪的制作工艺可以与现有的半导体制作工艺尤其是三维存储器的制作工艺兼容，因此，可以使得铁电存储器的应用范围得到扩大。并且，由于氧化铪材料可以进行保型性良好的三维淀积，因此，缩小三维存储器的面积，提升三维铁电存储器的存储密度。

主权项

1.一种三维铁电存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成堆叠层以及贯穿所述堆叠层的沟道孔，所述堆叠层包括多层交替排布的氧化硅层和氮化硅层；在所述沟道孔侧壁形成铁电存储层、第一缓冲层、第二缓冲层和填充层，所述铁电存储层的材料为氧化铪或掺杂的氧化铪；去除所述氮化硅层，并在所述氮化硅层所在的区域形成栅极层。