[发明专利]一种三维铁电存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维铁电存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成堆叠层以及贯穿所述堆叠层的沟道孔，所述堆叠层包括多层交替排布的氧化硅层和氮化硅层；

在所述沟道孔侧壁形成铁电存储层、第一缓冲层、第二缓冲层和填充层，所述铁电存储层的材料为氧化铪或掺杂的氧化铪；

去除所述氮化硅层，并在所述氮化硅层所在的区域形成栅极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟道孔侧壁形成铁电存储层、第一缓冲层、第二缓冲层和填充层之前，还包括：

在所述沟道孔底部形成下电极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述沟道孔侧壁形成铁电存储层、第一缓冲层、第二缓冲层和填充层包括：

在所述沟道孔的侧壁上依次形成铁电存储层和第一缓冲层；

去除所述下电极表面的所述铁电存储层和所述第一缓冲层，暴露出所述下电极；

在所述沟道孔的侧壁上形成第二缓冲层；

在所述沟道孔内形成填充层，以填满所述沟道孔。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂的氧化铪包括掺杂铝、硅、二氧化硅、氮、锆、镧、钆或钇的氧化铪。

5.一种三维铁电存储器，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底表面的堆叠层、贯穿所述堆叠层的沟道孔以及位于所述沟道孔内的功能层；

所述堆叠层包括多层交替排布的氧化硅层和栅极层；

所述功能层包括依次位于所述沟道孔侧壁上的铁电存储层、第一缓冲层、第二缓冲层和填充层，所述铁电存储层的材料为氧化铪或掺杂的氧化铪。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，还包括位于所述沟道孔底部的下电极。

7.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述掺杂的氧化铪包括掺杂铝、硅、二氧化硅、氮、锆、镧、钆或钇的氧化铪。