[发明专利]三维存储器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器及其制作方法，在制作三维存储器时，通过第一平坦化处理，去除所述第一刻蚀阻挡层上的层结构，露出所述导电接触、所述沟道孔结构以及所述共源极导电接触，一次性平坦化处理同时露出所述导电接触、所述沟道孔结构以及所述共源极导电接触，可以在在后续工艺中同时形成与各个所述导电接触一一对应电接触的导电触点、与所述沟道孔结构电接触的第一接触端以及与所述共源极导电接触电接触的第二接触端，减少平坦化处理次数，简化了工艺步骤，降低了生产成本，提高了生产效率。

主权项

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成功能结构，所述功能结构包括依次层叠设置在所述衬底上的第一堆叠层、第一刻蚀阻挡层、插塞层以及第二刻蚀阻挡层；所述第一堆叠层包括多层交替层叠设置的栅极层以及绝缘介质层；所述功能结构具有沟道孔结构以及共源极导电接触，所述沟道孔结构穿过所述第一刻蚀阻挡层延伸至所述衬底，所述共源极导电接触穿过所述第二刻蚀阻挡层延伸至所述衬底；形成露出各个所述栅极层的接触孔，在所述接触孔内形成导电接触；通过第一平坦化处理，去除所述第一刻蚀阻挡层上的层结构，露出所述导电接触、所述沟道孔结构以及所述共源极导电接触；同时形成与各个所述导电接触一一对应电接触的导电触点、与所述沟道孔结构电接触的第一接触端以及与所述共源极导电接触电接触的第二接触端。